湿法清洗 ：
湿法清洗采用液体化学溶剂和DI水氧化、蚀刻和溶解晶片表面污染物、有机物及金属离子污染。通常采用的湿法清洗有RCA清洗法、稀释化学法、 IMEC清洗法、单晶片清洗等。
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基于APM（NH4OH:H2O2:H2O）的化学材料在微粒去除方面仍占主宰地位，但如果没有兆频超声波强化，其作用就不是很有效。基于起初RCA（HPM：HCl:H2O2:H2O）配方的去除金属的化学材料差不多都放弃了。
与洁净得多的抗蚀剂和化学材料结合在一起的创新化学是在这一领域成功的关键。此外，几何图形非常密集的器件制造的污染控制也推动了各种创新技术的研发，例如包括超临界CO2（SCCO2）清洗。
RCA清洗法 ：
人们使用的清洗方法没有可依据的标准和系统化。1965年， RCA（美国无线电公司）研发了用于硅晶圆清洗的RCA清洗法，并将其应用于 RCA元件制作上。该清洗法成为以后多种前后道清洗工艺流程的基础，以后大多数工厂中使用的清洗工艺基本是基于初期的RCA清洗法。
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