在半导体湿式清洗制程中，晶圆 (湿式) 清洗制程主要是希望藉由化学***与清洗设备，清除来自周遭环境所附着在晶圆表面的脏污，以达到半导体组件电气特性的要求与可靠度。过去 RCA 多槽湿式清洗一直是晶圆清洗的主要技术，不过随着近年来制程与清洗设备的演进，不但在清洗制程中不断产生新的技术，也随着半导体后段封装技术的演进，清洗设备也逐渐进入封装厂的生产线中。
清洗流程的操作规范：
(1) 用(ACE)、异bing醇(IPA)、去离子(DI)水依次进行超声清洗超声设备内槽、烧杯、花篮、卡塞及样品盒；
(2) 在二个超声设备的内槽分布倒入 2000 - 4000 ml的和异bing醇溶液，具体的溶液体积由内槽的容积来定，保证溶液水平面在花篮上平面以上；在一个烧杯中倒入2000 ml溶液；记录溶液更换日期，按每2000 ml溶液清洗250片晶片的要求规划溶液的清洗次数；
(3) 将晶片用花篮盛放并将其置于内槽中，设置超声的温度60°C，并计时超声清洗晶片10分钟，用盖将内槽封闭，LED腐蚀机，并记录溶液累计使用片数；
(4) 将放有晶片的花篮取出冲水5分钟；
(5) 将花篮置于异bing醇中，设置溶液温度60°C，记时超声清洗晶片10分钟，用盖将内槽封闭，记录溶液累计使用片数； (5) 将放有晶片的花篮取出冲水5分钟；
(6) 将放有晶片的花篮置于已配制好的***(共1200 ml，无锡LED，H2SO4 : H2O2 =3:1)溶液中，计时10分钟，并记录溶液使用累计片数；保持溶液的温度为90°C。如果溶液不是新配溶液，需向溶液中按溶液的1/3加入溶液；
(7) 将放有晶片的花篮取出冲水5分钟；
(8) 将晶片从花篮中取出，放置到te制的卡塞中，将放有晶片的卡塞置于兆声波设备内槽中，在60°C兆声清洗10分钟；
(9) 将放有晶片的卡塞取出冲水10分钟；
(10) 将放有晶片的卡塞放入甩干机中，烘干。
超声波清洗机的两大分类
超声波制作生器：超声波清洗机用的超声波制作生器，从使用的元器件种类梗概分电子管式的，可控硅式的和晶体管式的。近几年来也曾发展到用大功率“功率模块”的法子。其输出功率从几十瓦直到几千瓦，LED清洗设备，任务频率从15kHz—40kHzo 超声波清洗机用的超声波制作生器有以下本色：
(1)随着清洗液深度不同，换能器共振频率和阻抗变卦很大。然则理论批注，槽内放进过量清洗物后，根蒂底子上便梗概摇动在某一定数值上。
(2)通常来说，LED酸洗设备，因为清洗负载转变较小，梗概不申请冗杂的频率踊跃跟踪电路。
(3)适用超声波制作生器，大多数采用大功率自激式反应振荡器。
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