南京晶圆-苏州晶淼半导体-晶圆腐蚀台

化学清洗槽（也叫酸槽/化学槽），主要有HF，H2SO4，H2O2，南京晶圆，HCL等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，去离子，去原子，后还有DI清洗。IPA是，就是工业酒精，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。

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湿法刻蚀：用液体化学剂去除衬底表面的材料。早期普遍使用，在 3um 以后由于线宽控 制、刻蚀方向性的局限，主要用干法刻蚀。目前，湿法刻蚀仍用于特殊材料层的去除和 残留物的清洗。干法刻蚀：常用等离子体刻蚀，也称等离子体刻蚀，即把衬底暴露于气态中产生的等离 子，晶圆腐蚀台，与暴露的表面材料发生物理反应、化学反应。

清洗槽（也叫酸槽/化学槽），主要有HF，H2SO4，H2O2，HCL等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，去离子，去原子，后还有DI清洗。IPA是，就是工业酒精，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。

反应离子刻蚀原理是将通入刻蚀室的工艺气体分子解离，产生等离子体。一方面由等离子体中的部分活性基团与被刻蚀材料表面发生化学反应，另一方面由于射频自偏压作用，等离子体中的正离子对被刻蚀材料，表面进行物理轰击，从而以物理化学相结合的方法达到材料表面刻蚀的目的。

清洗槽（也叫酸槽/化学槽），主要有HF，H2SO4，H2O2，HCL等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，去离子，去原子，后还有DI清洗。IPA是，就是工业酒精，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。