晶圆腐蚀台-苏州晶淼半导体(在线咨询)-扬州晶圆

无机类***清洗主要用水冲洗，但是水往往是以不同压力及形式冲洗在玻璃基板的表面。① HPMJ—High Pressure Micro Jet，晶圆清洗机， 高压微粒喷射清洗技术，通过对水增压，在喷嘴处以高压水微粒形式，喷射在玻璃基板表面，晶圆腐蚀台，达到去除表面大颗粒***的目的。有些制程特性的需求，也可以和二氧化碳一起混合加入，晶圆清洗，形成二氧化碳水，即碳酸，让水可以导电，达到可以去除静电的目的。② AAJET—Aqua Air Jet，水气二流体清洗技术。这种技术是把水和空气在一定的压力下，按照一定的比例从喷嘴中喷出。其中喷嘴的形式，有单个喷出扇形模式，也要直接采用Slit Nozzle模式，即喷出为水幕。第二种喷出形式在玻璃基板表面形成的压力较为均匀，不会对产品产生不良。③Roller Brush- 旋转毛刷清洗技术，利用高速旋转的毛刷并增加适当的压入量，达到清洁玻璃表面***的目的。

等离子清洗法利用等离子体产生的自由基与有机***反应，再以气流的方式去除，从而达到清洗的目的。由于AP功率强，一般会对金属表面产生影响，所以，在金属制程中一般不采用AP Pla***a的清洗技术。AP使用的气体主要是氮气和空气按照一定的比例混合，同时，和玻璃基板保持合适的距离，加载一定的电压，从而产生自由基，对基板表面进行清洁。

湿法刻蚀设备

是一种刻蚀方法，主要在较为平整的膜面上刻出绒面，从而增加光程，减少光的反射，扬州晶圆，刻蚀可用稀释的盐酸等湿法刻蚀是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术。简单来说，就是中学化学课中化学溶液腐蚀的概念，它是一种纯化学刻蚀，具有优良的选择性，刻蚀完当前薄膜就会停止，而不会损坏下面一层其他材料的薄膜。由于所有的半导体湿法刻蚀都具有各向同性，所以无论是氧化层还是金属层的刻蚀，横向刻蚀的宽度都接近于垂直刻蚀的深度。这样一来，上层光刻胶的图案与下层材料上被刻蚀出的图案就会存在一定的偏差，也就无法高质量地完成图形转移的工作，因此随着特征尺寸的减小，在图形转移过程中基本不再使用。目前，湿法刻蚀一般被用于工艺流程前面的晶圆片准备、清洗等不涉及图形的环节，而在图形转移中干法刻蚀已占据主导地位。