按其催化作用增长的次序由小到大地排列则如下：因科镍合金、奥氏体不锈钢、镍、钢、铝、铜、青铜、黄铜、银。以活性炭与氟为原料经氟化反应制备。在装有活性炭的反应炉中，缓缓通入高浓氟气，并通过加热器加热、供氟速率和反应炉冷却控制反应温度。四氟化碳是目前微电子工业中用量大的等离子蚀刻气体，其高纯气及四氟化碳高纯气配高纯氧气的混合体，可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨薄膜材料的蚀刻。
对于硅和二氧化硅体系，采用CF4-O2反应离子刻蚀时，通过调节两种气体的比例，可以获得45：1的选择性，这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。产品经除尘，碱洗除去HF、CoF2、SiF4、CO2等杂质、再经脱水可获得含量约为85%的粗品。将粗品引入低温精馏釜中进行间歇粗馏，通过控制精馏温度，除去O2、N2、H2，得到高纯CF4。因为四氟化碳和四氟化1硅都是共价化合物，然而碳氟键的键能远远大于硅氟键的键能，键长也是前者短得多，所以四氟化碳的热稳定性更好。
随着芯片制程向7纳米迈进，细微杂质对芯片的损害更为明显，电子产业对高纯电子气体的纯度要求进一步提高，在此背景下，我国高纯四氟化碳生产技术与产品质量仍有提升空间。四氟化碳是一种卤代烃，化学式CF4。它既可以被视为一种卤代烃、全氟化碳，也可以被视为一种无机化合物。零下198 °C时，四氟化碳具有单斜的结构，晶格常数为a = 8.597，四氟化碳生产， b= 4.433， c = 8.381 (.10-1?nm)， β = 118.73° 。高纯四氟化碳在常温常压条件下化学性质稳定，高纯四氟化碳是一种高纯电子气体，在电子产业中需求量大。
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