3．1．3 金属一陶瓷封装它是以传统多层陶瓷工艺为基础，以金属和陶瓷材料为框架而发展起来的。其特征是高频特性好而噪音低而被用于微波功率器件，扬州晶圆，如微波毫米波二极管、微波低噪声三极管、微波毫米波功率三极管。正因如此，它对封装体积大的电参数如有线电感、引线电阻、输出电容、特性阻抗等要求苛刻，晶圆酸洗，故其成品率比较低；同时它必须很好地解决多层陶瓷和金属材料的不同膨胀系数问题，这样才能保证其可靠性。金属一陶瓷封装的种类有分立器件封装包括同轴型和带线型；单片微波集成电路(MMIC)封装包括载体型、多层陶瓷型和金属框架一陶瓷绝缘型。
半导体器件有许多封装型式，从DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到CSP再到SIP，技术指标一代比一代***，晶圆清洗，这些都是前人根据当时的组装技术和市场需求而研制的。总体说来，它大概有三次重大的革新：在上世纪80年代从引脚插入式封装到表面贴片封装，极大地提高了印刷电路板上的组装密度；第二次是在上世纪90年代球型矩正封装的出现，它不但满足了市场高引脚的需求，而且大大地改善了半导体器件的性能；晶片级封装、系统封装、芯片级封装是现在第三次革新的产物，其目的就是将封装减到小
虽然等离子刻蚀设备在集成电路制造中得到了广泛的应用，离子刻蚀设备但由于等离子刻蚀过程中的物理化学过程复杂，它是理论上模拟和分析等离子刻蚀过程的有效方法，但目前还没有。除蚀刻外，等离子技术已成功应用于其他半导体工艺，例如溅射和等离子化学气相沉积 (PECVD)。
产品寿命长，能耐高低温及高湿度等恶劣环境。半导体生产厂家时时刻刻都想方设法降低成本，当然也有其它的因素如环保要求迫使他们改变封装型式。
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