干法刻蚀有化学反应、物理去除以及化学物理混合去除三种方式，性能各有优劣。其中，物理性 刻蚀，又称离子束溅射刻蚀，原理是使带能粒子在强电场下加速，这些带能粒子通过溅射刻蚀作 用去除未被保护的硅片表面材料，化学性刻蚀，又称等离子体刻蚀，南京硅片，纯化学刻蚀作用中，通过等 离子体产生的自由基和反应原子与硅片表面的物质发生化学反应达到刻蚀的效果，硅片清洗，可以得到较好 的刻蚀选择性和较高的刻蚀速率。
蚀刻气体将气体与衬底分离并从衬底中提取气体。空管。在相同条件下，氧等离子体处理比氮等离子体处理更有效。安等离子蚀刻技术，如果需要蚀刻，如果需要去除蚀刻后的污渍、浮渣、表面处理、等离子聚合、等离子灰化或其他蚀刻应用。附着力、焊接、印刷、涂装、涂装后道工序的附着力和良率。现已成为材料表面性能处理的表面改性工具。
硅晶片的化学蚀刻是通过将晶片浸入蚀刻剂中来完成的，该蚀刻剂传统上是稀释剂或苛性碱溶液的酸性混合物。报道了苛性结晶学蚀刻的各种研究.然而，本文只关注基于酸的蚀刻的传输和动力学效应。实际的反应机理相当复杂，涉及许多基本反应。氢和不同的氮氧化物会产生。已经提出了许多不同条件下硅片溶解的速率方程。
化学清洗槽（也叫酸槽/化学槽），主要有HF，H2SO4，硅片刻蚀机，H2O2，HCL等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，去离子，去原子，硅片清洗机，后还有DI清洗。IPA是，就是工业酒精，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。
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