RCA清洗法 ： 人们使用的清洗方法没有可依据的标准和系统化。1965年，半导体清洗机， RCA（美国无线电公司）研发了用于硅晶圆清洗的RCA清洗法，并将其应用于 RCA元件制作上。该清洗法成为以后多种前后道清洗工艺流程的基础，以后大多数工厂中使用的清洗工艺基本是基于***的RCA清洗法。
化学清洗槽（也叫酸槽/化学槽），主要有HF，H2SO4，H2O2，HCL等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，去离子，去原子，后还有DI清洗。IPA是，就是工业酒精，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。
在ic级硅片的制造过程中，由于很多工艺环节对硅片洁净度要求很高，因此在一段工艺加工后通常会对硅片进行清洗，对于硅片的清洗来说通常是去除硅片表面的颗粒、有机物以及金属，在清洗过程中，为保证清洗效果，对清洗过程中的温度、时间、清洗液以及兆声等都有一定要求。
化学清洗槽（也叫酸槽/化学槽），主要有HF，H2SO4，H2O2，HCL等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，去离子，去原子，后还有DI清洗。IPA是，就是工业酒精，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。
现有技术中，连云港KOH，待清洗的晶圆板固定在晶圆清洗机的清洗台上，通过位于清洗台上方的喷水头对清洗台上的晶圆板进行冲洗，清洗范围有限，不能对晶圆板的反面进行清洗，需要反向再次放置晶圆板，使得清洗效率低一种用于晶圆加工的晶圆清洗机，包括箱壳(1)和位于箱壳(1)顶部的翻盖(2)，KOH清洗设备，其特征在于，所述箱壳(1)的内腔前后两侧壁均转动连接有直杆(3)，两个所述直杆(3)之间固定连接有晶圆固定件。
