按照刻蚀工艺划分，其主要分为干法刻蚀以及湿法刻蚀。由于干法刻蚀可以实现各向异性刻蚀，符合现阶段半导体制造的高集成度的需求，因此在小尺寸的***工艺中，基本采用干法刻蚀工艺，导致干法刻蚀机在半导体刻蚀市场中占据相对主流地位。而按照被刻蚀材料划分，可以分为硅刻蚀、介质刻蚀以及金属刻蚀。目前由于下游的需求场景较多，晶圆腐蚀，介质刻蚀机与硅刻蚀机的市场占比较高，成为市场主流。
腐蚀机适用于半导体工艺中对硅片周边进行湿法化学腐蚀形成均匀一致的斜角，本设备技术***，适用于规模生产。本设备是由电气控制、机架、箱体、槽体、管路、等部分组成。槽体是由去离子水洗槽、酸槽、碱槽构成。硅片腐蚀机管路部分为保证工作介质的洁净和避免杂质析出，特采用进口气动阀、PFA、PVDF、管道，全氟循环系统。除装片和取片外，其余工艺均可自动完成。电控部分：人机界面为触摸屏，方便美观。
等离子刻蚀机器，又叫等离子蚀刻机、等离子平面刻蚀机、等离子体刻蚀机、等离子表面处理仪、等离子清洗系统等。等离子刻蚀，是干法刻蚀中*常见的一种形式，其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体，由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体，宿迁晶圆，从而形成了等离子或离子，电离气体。
化学清洗槽（也叫酸槽/化学槽），主要有HF，晶圆清洗机，H2SO4，H2O2，HCL等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，去离子，晶圆清洗台，去原子，后还有DI清洗。IPA是，就是工业酒精，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。
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