上海现货交易ST微控制器单片机-同创芯电子

BOM表配单指什么？需要考虑哪些因素？

简略了解配件单是所需配件名称、型号、数量等内容的单子，电子元器件配单是销售和采购中熟悉的流程，那么电子元器件配单指的是什么？还有哪些因素需要考虑呢？

电子器件配单就是由客户提供一个完整的 BOM表， BOM表中含有多种电子元器件，然后帮助客户将清单中所需的材料编号，即为电子元件配单。按照客户提供的型号和表格，需要快速、合理、坦诚、诚信地为客户解决品种太多买不到原装、等问题。

所以电子元器件配单必须提供化、、一对一的电子元器件配单服务，解决客户基本的需求，降低生产成本，提高时效。

电子器件配单使用注意事项

1.顾客给一张 BOM表后，仔细检查 BOM表，然后确认规格要求。答复要快速，确认规格型号，仔细仔细核对，及时反馈给客户。

2.报价给客户，报盘时一定要问客户是否要开，然后确认顾客什么时候要购买，是询价还是订购。

3.谈谈付款方式，上海现货交易ST微控制器单片机，是款到发货，货到付款，还是月结。下一步需要跟踪客户是否收到货物以及到达货物。电子器件的整体配单过程需要让客户体验到、、快速、的服务。

总的来说，电子元件配单帮助客户解决、、快捷、的采购问题，减少了繁杂的步骤，节约了采购成本。

选电感，现货交易ST微控制器单片机打样，首先挑电感线圈

对感应线圈的选型和使用，首先要考虑对线圈的检测测量，然后才能判断线圈的质量及优劣。电感线圈的电感量和品质因数 Q的准确检测，一般需要仪器，且测试方法比较复杂。使用仪器检测前，可先对线圈进行通断检查，判断线圈的 Q值大小。

一、根据工作频率选择线圈导线

工作于低频电压下，现货交易ST微控制器单片机高精密度引脚，一般都是采用漆包线带绝缘导线制成的感应线圈。当电路中的工作频率超过几万赫兹或低于2 MHZ时，则采用多股绝缘导线绕制线圈，这样可以有效地增加导体的表面积，从而克服集肤效应的影响，使 Q值比同一种界面剂的单导线绕制线圈高30%~50%，在频率高于2 MHZ电路中，电感线圈采用单根粗导体线绕制，现货交易ST微控制器单片机批量库存，直径一般为0.3~1.5 mm。为了减少额外的损耗，采用镀银铜线绕电感线圈，其效果不如单根导线好。

选择高质量的盘管框架，降低介质损耗。对于频率较高的场合，应选择高频介质材料，并用间绕法绕制。

三、合理选择线圈尺寸，可降低损耗。

合理选择防护罩的直径。

屏蔽罩过小会增加线圈损耗， Q值降低， Q值过大也会增大体积，因此选取时一定要选择合理的直径尺寸。

五、采用磁芯可显著减少线圈圈数目。

减小磁芯，不仅可以减少线圈的圈数，减小体积，还有利于提高线圈的电阻值，提高 Q值。

减小绕制线圈的分布电容。

尽可能使用无骨架绕制线圈，这样可以减少分配电容的15%-20%。对多层电路线圈而言，其直径越小，绕组长度越小，分布电容就越小。因此在绕线时，应减小绕组的长度。

七、选择较大的线圈直径，减少线圈的损耗。

卷径可以选择大一些，这样有利于增大体积，减小线圈的损失，一般的接收机，单层线圈直径可选择12-30 mm，多层线圈选取6-13 mm，从体积上讲，大不要超过20-25 mm。

逆变器和光伏系统的性能要求使WBG器件应用成为

自从宽带隙 （WBG） 器件诞生以来，为功率变换应用带来了一股令人激动的浪潮。但是，在什么情况下从硅片转换到宽带隙技术才有意义呢？迄今为止，屏蔽栅极 MOSFET、超级结器件和 IGBT等基于硅的功率器件已经很好地在业界得到大规模应用。这些器件在品质因数 （FoM） 方面不断改进，加上在拓扑架构和开关机理等方面的进步，使工程师能够实现更高的系统效率。工程师坚持继续使用硅片的常见原因可能是在这方面拥有丰富的知识和经验。然而，在某些情况下，下一代电源、逆变器和光伏系统的性能要求使WBG器件应用成为。

在中压应用中，英飞凌的 OptiMOS 能够提供业界更佳的品质因数。开关电源（***PS）、逆变器和电池供电马达等需要100～200V MOSFET 的应用已经在使用这些高频优化器件。然而，随着人工智能 （AI） 协处理器等需要巨大电流的边缘运算应用越来越广泛，对提升电源供电效率和瞬态负载响应能力提出了要求。CoolGaN可提供明显优于任何同类中压硅器件的 FoM以及零反向***电荷，这使其成为半桥电路的选择。由于其晶体平面生长特性，使封装能够实现采用顶部散热的创新机制。在 54V 输入/12V 输出的变换器中，基于 CoolGaN 的设计可提供 15A 电流，在500 kHz 开关频率时达到超过 96.5% 的峰值效率。这比同等OptiMOS 5 100V在100 kHz开关频率下效率提高了1%。

总体而言，CoolGaN 和 CoolSiC 都能够提供更好的 FoM，并且可实现比同类硅器件更高的效率。但是，这些并不是需要考虑的因素，价格同样很重要，采用新技术带来的相关风险也是如此。GaN 和 SiC 都具有不同的驱动和工作特性，为了充分发挥这些技术的潜力，可能还需要新的拓扑架构或控制技术。