苏州晶淼半导体(图)-硅片酸洗-淮安硅片

水基清洗机原理：

清洗机由于应用场合和洗涤对象的不同，硅片腐蚀台，以及污垢附着的基体的性质差异很大，淮安硅片，清洗机理也是复杂的。可简单地将清洗分为以三个过程：

●向被洗物内浸透洗净溶液的过程一浸透作用；

●污垢从固体表面分离的过程—扩张作用； 污垢进行分散保护的过程的过程—分散、浮化、可溶化作用；

●污垢从被洗物除去的过程。

在利用水基清洗机进行清洗时，洗涤对象的表面活性物质的表面性能发生了相当大的变化，如果将1cm3立方体分割成1021个立方体的话，硅片酸洗，可以计算出它的表面积总和将为6000m2，这时此物质的表面及界面的特性就上升为主要的了，其自由能，表面张力等均发生了质的变化。表面张力为一定值时的浓度。在此浓度下，水基清洗机里的水溶液的许多物理化学性质会发生显著的变化，使用时应特别注意。

超声波清洗机橡胶工业：需要清洗的产品：手套、带子、白轮胎、橡胶制品、橡胶成型金属模/陶瓷模等污染源：***、尘垢、防腐剂、油墨、染料、塑料残留物、橡胶残渣使用清洗剂：碱性洗涤剂、酸性洗涤剂、中性洗涤剂；纯水清洗设备是指可用于人工来清洁工件表面油、蜡、尘、氧化层等污渍与污迹的机械设备。

化学清洗槽（也叫酸槽/化学槽），主要有HF，H2SO4，H2O2，HCL等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，去离子，去原子，后还有DI清洗。IPA是，就是工业酒精，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。

目前在 半导体清洗机湿式清洗制程中，硅片清洗机，主要应用项目包含晶圆清洗与湿式蚀刻两项，晶圆 (湿式) 清洗制程主要是希望藉由化学***与清洗设备，清除来自周遭环境所附着在晶圆表面的脏污，以达到半导体组件电气特性的要求与可靠度。至于脏污的来源，不外乎设备本身材料产生、现场作业员或制程工程师***自身与动作的影响、化学材料或制程药剂残留或不纯度的发生，以及制程反应产生物的结果，尤其是制程反应产生物一项，更成为制程污染主要来源，因此如何改善制程中所产生污染，便成为清洗制程中研究主要的课题。

过去 RCA 多槽湿式清洗一直是晶圆清洗的主要技术，不过随着近年来制程与清洗设备的演进，不但在清洗制程中不断产生新的技术，也随着半导体后段封装技术的演进，清洗设备也逐渐进入封装厂的生产线中。以下本文即针对清洗设备与技术作一深入介绍，并分析清洗设备发展的关键机会及未来的发展趋势。