针对光源寿命选择的问题，产业目前有两种技术路线： 1.低功率路线：需要长时间照射才能达到相应的紫外线剂量，led芯片批发，光衰相对低，寿命相对较长，适用于常规消毒场景。传统灯的消毒即是这是使用方案，市场批量灯在几百mW的紫外线输出功率，寿命从几千到几万不等。未来，UVC LED替换灯，这是一条重要的技术路线。 2.瞬间大功率紫外功率输出路线: 在极短的时间内照射即达到杀菌剂量， 如目前应用的脉冲氙灯，瞬间紫外线输出功率能从几W到几百W。对于UVC LED来说，此技术路线需要提高饱和电流值，在瞬间通入几A甚至更大的脉冲大电流，而得到大功率的紫外功率输出，未来可取代脉冲氙灯消毒市场。 3、目前，UVC LED，深圳led芯片，大家比较关注的还是技术路线1 ，故在选购时，需依据具体场景应用来考量对寿命的需求，找到匹配的UVC LED芯片。 4、当然，除了从以上几个方面进行综合对比和选择，后一步还是需对芯片进行实测，对比测试结果与需求的匹配程度后，方能做出较为正确的判断和选择。
灯珠对于取出功率的因素包含了组件资料自身的吸收、组件的几许构造、组件及封装资料的折射率差及组件构造的散射特性等。而组件的内部量i子功率与组件的取出功率的乘积，即是整个组件的发光作用，也即是组件的外部量i子功率。早期组件开展会集在进步其内部量i子功率，首要办法是通过进步垒晶的质量及改动垒晶的构造，使电能不易转换成热能，进而直接进步深紫外LED灯珠的发光功率，然后可获得70%摆布的理论内部量i子功率，可是这么的内部量i子功率几乎现已挨近理论上的极限。
深紫外LED灯珠发光机理：PN结的端电压构成一定势垒，当加正向偏置电压时势垒降低，P区和N区的大都载流子向对方分散。因为电子迁移率比空穴迁移率大得多，所以会呈现大量电子向P区分散，构成对P区少量载流子的写入。这些电子与价带上的空穴复合，led芯片报价，复合时得到的能量以光能的方法开释出去。这即是PN结发光的原理。深紫外LED灯珠发光功率：通常称为组件的外部量i子功率，其为组件的内部量i子功率与组件的取出功率的乘积。所谓组件的内部量i子功率，本来即是组件自身的电光转换功率，首要与组件自身的特性（如组件资料的能带、缺点、杂质）、组件的垒晶构成及构造等相关。而组件的取出功率则指的是组件内部产生的光子，在通过组件自身的吸收、折射、反射后，实践在组件外部可测量到的光子数目。
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