RCA清洗法:自从20世纪70年代RCA清洗法问世之后，几十年来被广泛采用。它的基本步骤初期只包括碱性氧化和酸性氧化两步，半导体清洗设备，但目前使用的RCA清洗大多包括四步，即先用含***的酸性进行酸性氧化清洗，再用含胺的弱碱性进行碱清洗，接着用稀的qing氟酸溶液进行清洗，然后用含盐酸的酸性进行酸性氧化清洗，在每次清洗中间都要用超纯水（DI水）进行漂洗，然后再用低沸点进行干燥。
半导体水基清洗剂主要用于清洗表面沾污有石蜡、油脂和油脂类高分子化合物以及表面沾污有金属原子和金属离子等。在半导体分立器件和中、小规模集成电路中能够完全代替传统半导体清洗工艺中使用的清洗液。
根据清洗媒介的不同，又可以分为湿式清洗和干式清洗：一般将在液体介质中进行的清洗称为湿式清洗，在气体介质中进行的清洗称为干式清洗．传统的清洗方式大多为湿式清洗，而人们比较容易理解的干式清洗也就是吸尘器．但近年来，干式清洗发展迅速．如激光清 洗．紫外线清洗，等离子清洗、干冰清洗等，半导体清洗机，在高。精，尖工业技术领域得到快速发展。
清洗流程的操作规范：
(1) 用(ACE)、异bing醇(IPA)、去离子(DI)水依次进行超声清洗超声设备内槽、烧杯、花篮、卡塞及样品盒；
(2) 在二个超声设备的内槽分布倒入 2000 - 4000 ml的和异bing醇溶液，具体的溶液体积由内槽的容积来定，保证溶液水平面在花篮上平面以上；在一个烧杯中倒入2000 ml溶液；记录溶液更换日期，按每2000 ml溶液清洗250片晶片的要求规划溶液的清洗次数；
(3) 将晶片用花篮盛放并将其置于内槽中，设置超声的温度60°C，并计时超声清洗晶片10分钟，用盖将内槽封闭，并记录溶液累计使用片数；
(4) 将放有晶片的花篮取出冲水5分钟；
(5) 将花篮置于异bing醇中，半导体酸洗设备，设置溶液温度60°C，记时超声清洗晶片10分钟，用盖将内槽封闭，记录溶液累计使用片数； (5) 将放有晶片的花篮取出冲水5分钟；
(6) 将放有晶片的花篮置于已配制好的***(共1200 ml，H2SO4 : H2O2 =3:1)溶液中，计时10分钟，并记录溶液使用累计片数；保持溶液的温度为90°C。如果溶液不是新配溶液，需向溶液中按溶液的1/3加入溶液；
(7) 将放有晶片的花篮取出冲水5分钟；
(8) 将晶片从花篮中取出，放置到te制的卡塞中，宿迁半导体，将放有晶片的卡塞置于兆声波设备内槽中，在60°C兆声清洗10分钟；
(9) 将放有晶片的卡塞取出冲水10分钟；
(10) 将放有晶片的卡塞放入甩干机中，烘干。
