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晶体振荡器的应用

十分广泛它主要是一种和高稳定度的振荡器。那晶体振荡器被广泛应用于彩电、计算机、遥控器等各类振荡电路中，以及通信系统中用于频率发生器、为数据处理设备产生时钟信号和为特定系统提供基准信号。

不难看出这是一个十分精密的仪器，对于晶体振荡器外壳的技术要求也是相当高的。要达到通信设备所规定的各种参数值。

选择振荡器时需要考虑哪些因素

选择振荡器时需要考虑功耗。分立振荡器的功耗主要由反馈放大器的电源电流以及电路内部的电容值所决定。CMOS放大器功耗与工作频率成正比，可以表示为功率耗散电容值。比如，HC04反相器门电路的功率耗散电容值是90pF。在4MHz、5V电源下工作时，相当于1.8mA的电源电流。再加上20pF的晶振负载电容，整个电源电流为2.2mA。陶瓷谐振槽路一般具有较大的负载电容，有源晶振厂家，相应地也需要更多的电流。相比之下，晶振模块一般需要电源电流为10mA ~60mA。硅振荡器的电源电流取决于其类型与功能，范围可以从低频（固定）器件的几个微安到可编程器件的几个毫安。一种低功率的硅振荡器，如MAX7375，工作在4MHz时只需不到2mA的电流。在特定的应用场合优化时钟源需要综合考虑以下一些因素：精度、成本、功耗以及环境需求。

晶体振荡器技术指标

（1）总频差：在规定的时间内，削峰正弦波输出有源晶振厂家，由于规定的工作和非工作参数全部组合而引起的晶体振荡器频率与给定标称频率的频差；

（2）频率温度稳定度：在标称电源和负载下，工作在规定温度范围内的不带隐含基准温度或带隐含基准温度的允许频偏；

（3）频率稳定预热时间：以晶体振荡器稳定输出频率为基准，从加电到输出频率小于规定频率允差所需要的时间；

（4）频率老化率：在恒定的环境条件下测量振荡器频率时，CMOS输出有源晶振厂家，振荡器频率和时间之间的关系；

（5）频率压控范围：将频率控制电压从基准电压调到规定的终点电压，LVDS输出有源晶振厂家，晶体振荡器频率的小峰值改变量；

（6）压控频率响应范围：当调制频率时，峰值频偏与调制频率之间的关系；

（7）频率压控线性：与理想（直线）函数相比的输出频率-输入控制电压传输特性的一种量度，它以百分数表示整个范围频偏的可容许非线性度；

（8）单边带相位噪声：偏离载波f处，一个相位调制边带的功率密度与载波功率之比。有的技术人员帮助您选型，欢迎您前来咨询！