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铁氧体多晶薄膜的制备,如垂直磁化的钡铁氧体薄膜,采用新型的对向靶溅射装置进行溅射。制备石榴石单晶薄膜,多采用在单晶基板上进相或液相外延法,其具体工艺过程同半导体单晶薄膜的外延方法极为相近。







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钐钴磁能积高,矫顽力高,使用温度,可达350度,温度稳定性好,一般用于精密仪器,等,缺点是价格昂贵。钐钴磁能积高,矫顽力高,使用温度,可达350度,温度稳定性好,一般用于精密仪器,等,缺点是价格昂贵。

