清洗的注意事项：
(1)关机重启后，时间间隔1分钟以上，否则可能会造成电气损坏；
(2)设备运行中，注意去离子水流量不得超过允许值，否则可能由于排放受阻而造成机器损坏；
(3)每次运行完毕后取出片子时，注意卡塞口是否朝上，纠正后再取出，否则片子会掉出来；
(4)一旦发现水路的关联件出现“漏水”、“滴水”现象应立即关机，检修后再运行。
就清洗媒介来说，湿法清洗仍然是现代***晶圆清洗工艺的主力。虽然Si技术中的清洗化学材料与起初RCA的配方相差不大，但整体工艺较为明显的改变包括：采用了非常稀释的溶液；简化工艺；广泛使用臭氧水。
苏州晶淼半导体设备有限公司致力于向客户提供湿法制程刻蚀设备、清洗设备、pp/pvc通风柜/厨、cds***集中供液系统解决方案。我们的产品广泛应用与微电子、半导体、光伏、光通信、led等行业及高等院校、研究所等等科技领域的生产和研发。
清洗:
从溶解的相似相溶规律出发,一般采用-乙醇清洗,或采用乙醇yi醚混液和异bing醇代替乙醇。采用乙醇-yi醚是因为这种混合液的挥发性强,采用异bing醇是因为异bing醇的脱脂能力强。为降低这些本身在MCP表面的残留,在每次使用后都要用超纯水进行漂洗。在不***MCP表面特征的情况下可结合搅拌、鼓泡、溢流、喷淋、超声、蒸汽脱脂等方法一起使用。
