蚀刻气体将气体与衬底分离并从衬底中提取气体。空管。在相同条件下，氧等离子体处理比氮等离子体处理更有效。安等离子蚀刻技术，如果需要蚀刻，如果需要去除蚀刻后的污渍、浮渣、表面处理、等离子聚合、等离子灰化或其他蚀刻应用。附着力、焊接、印刷、涂装、涂装后道工序的附着力和良率。现已成为材料表面性能处理的表面改性工具。
湿法刻蚀：用液体化学剂去除衬底表面的材料。早期普遍使用，在 3um 以后由于线宽控 制、刻蚀方向性的局限，湿制程清洗台，主要用干法刻蚀。目前，湿法刻蚀仍用于特殊材料层的去除和 残留物的清洗。干法刻蚀：常用等离子体刻蚀，也称等离子体刻蚀，即把衬底暴露于气态中产生的等离 子，与暴露的表面材料发生物理反应、化学反应。
清洗槽（也叫酸槽/化学槽），主要有HF，H2SO4，湿制程腐蚀台，H2O2，HCL等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，江湿制程，去离子，去原子，湿制程腐蚀机，后还有DI清洗。IPA是，就是工业酒精，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。
半导体晶圆制造设备可以分为刻蚀、薄膜沉积、光刻、检测、离子注入、热处理等品类，其中刻蚀设备、薄膜沉积设备、光刻设备是集成电路前道生产工艺中的三类设备。根据Gartner统计，2021年刻蚀设备、薄膜沉积和光刻设备分别占晶圆制造设备价值量约21.59%、19.19%和18.52%。刻蚀设备已经成为半导体晶圆制造中的关键设备，在半导体制造中的重要性凸显。
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