芯片失效分析步骤:
1、非***性分析：主要是超声波扫描显微镜（C-SAM）--看有没delamination，xray--看内部结构，等等；
2、电测：主要工具，万用表，示波器，精密制样设备价格， tek370a
3、***性分析：机械decap，精密制样，化学 decap芯片开封机
4、半导体器件芯片失效分析 芯片內部分析，孔洞气泡失效分析。
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EMMI侦测的到亮点、热点(Hot Spot)情况；原来就会有的亮点、热点(Hot Spot)饱和区操作中的BJT或MOS(Saturated Or Active Bipolar Transistors /Saturated MOS)动态式CMOS (Dynamic CMOS)二极管顺向与逆向偏压崩溃 (Forward Biased Diodes /Reverse Biased Diodes Breakdown)侦测不到亮点情况不会出现亮点的故障奥姆或金属的短路(Ohmic Short / Metal Short)亮点被遮蔽之情况埋入式接面的漏电区(Buried Juncti)金属线底下的漏电区(Leakage Sites Under Metal)
无损检测技术--SAM将scanning acoustic microscope(SAM)用于IC的封装扫描检测，可以在不损伤封装的情况发现封装的内部缺陷。由于在很多时候不能打开封装来检查，即使打开很可能原来的缺陷已经被***。利用超声波的透射、反射特性可以很好解决这个问题。超声波在不同介质中的传播速率不同。
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