




低本底的铅室
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铅室
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4、低本底(对α<8cp6000s, 对β<230cp6000s)

低本底半导体探测器
金硅面垒半导体探测器己广泛用于 α 能谱分析。 它们的灵敏面积在 25 ~ 450 mm2,抽空使用时能量分辨率(对 5. 5 MeV)好可达到 13~30 keV。 但是通常作为环境样品低水平α能谱分析用的半导体探测器,一般只能采用较大面积(如直径 2. 5 cm 左右),而且总是在室温下不必抽空使用,因此其能量分辨本领半高全宽(FWHM)一般可能要大于 50 ~60 keV。
低本底的控制器
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控制器
1、仪器采用模块化设计,标准插道式控制器,方便自由组合
2、技术:采用高速性能同步采集控制器,真正实现所有通道完全***同步采集
3、阈值均通过计算机调节,调节精度0.01V
4、高压通过电位器调节外部控制,调节精度0.3V,避免测量过程中软件误操作,单路低本底,导致光电倍增管工作电压偏离。
5、实际高压均可实时监测,实现闭环控制高压,准确稳定。
6、仪器采用RS-232连接计算机,软件实现全程控制。

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