干法刻蚀有化学反应、物理去除以及化学物理混合去除三种方式，性能各有优劣。其中，物理性 刻蚀，又称离子束溅射刻蚀，原理是使带能粒子在强电场下加速，连云港硅片，这些带能粒子通过溅射刻蚀作 用去除未被保护的硅片表面材料，硅片清洗机，化学性刻蚀，又称等离子体刻蚀，硅片刻蚀机，纯化学刻蚀作用中，通过等 离子体产生的自由基和反应原子与硅片表面的物质发生化学反应达到刻蚀的效果，可以得到较好 的刻蚀选择性和较高的刻蚀速率。
等离子刻蚀机的制备工艺简单 2.即使在处理复杂的轮廓结构时，离子刻蚀设备等离子蚀刻机也可以进行有针对性的准备。等离子刻蚀设备的刻蚀工艺改变了氮化硅层的形态。等离子刻蚀设备的刻蚀工艺改变了氮化硅层的形态。等离子蚀刻设备可以实现表面清洗、表面活化、表面蚀刻。并且表面涂层等特性可以达到不同的处理效果，这取决于被处理的材料不同。
法蚀刻仍被广泛地应用于当今集成电路制造领域，因其工艺可准确控制薄膜的去除量以及工艺过程中对原材料的损耗较低，硅片腐蚀台，在今后很长一段时间内其地位将无法被取代.随着工艺尺寸的不断缩小，器件可靠性变得越来越重要，但湿法蚀刻均匀性却逐渐成为提高器件可靠性的一个瓶颈.集成电路工艺技术正进一步向大尺寸晶圆和小尺寸单个器件的方向发展。
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