氮化铝真空镀膜技术-黑龙江真空镀膜技术-半导体光刻

低压气相沉积真空镀膜加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，钨金属真空镀膜技术，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

 真空镀膜的物理过程：PVD（物理的气相沉积技术）的基本原理可分为三个工艺步骤：

（1）镀料的气化：即镀料的蒸发、升华或被溅射从而形成气化源

（2）镀料粒子（（原子、分子或离子）的迁移：由气化源供出原子、分子或离子经过碰撞，产生多种反应。

（3）镀料粒子在基片表面的沉积。真空镀膜的工艺流程：真空镀膜的工艺流程一般依次为：前处理及化学清洗（表面打磨抛光喷砂，除锈除油去氧化层）→工件在真空中烘烤加热→离子辉光清洗→金属离子轰击→镀金属过渡层→镀膜（通入反应气体）→后处理（炉内钝化或出炉后钝化去应力或防止变色，氮化铝真空镀膜技术，过UV做防指膜处理等）。

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 磁控溅射的生产工艺就是在真空的环境里采用电离子有序轰击镍、银、钛、金、铟、铜、铝等贵i金属耙材，黑龙江真空镀膜技术，并采用磁场控制的方式让金属离子均匀的溅射到光学级的PET基材上，沉积成金属镀膜层。这些金属层会选择性的将阳光中的各种热能源，包括红外线、紫外线及可见光热能反射回去。由于粒子更细、结构更紧密，氮化硅真空镀膜技术，因此，隔热持久性比传统热蒸发镀铝工艺更高，而且可以保证永i不i褪色。采用真空磁控溅射工艺制造出的玻璃膜有更持久和高i效的隔热性能、更高的清晰度，低反光和更自然的金属原色。由于磁控溅射工艺属于反射隔热，所以车窗玻璃在长时间的阳光照射下也不会特别烫，这是区别于吸热型隔热膜的一大特点。

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 在等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺中，由等离子体辅助化学反应过程。在等离子体辅助下，200 到500°C的工艺温度足以实现成品膜层的制备，因此该技术降低了基材的温度负荷。等离子可在接近基片的周围被激发(近程等离子法)。而对于半导体硅片等敏感型基材，辐射和离子轰击可能损坏基材。另一方面，在远程等离子法中，等离子体与基材间设有空间隔断。隔断不仅能够保护基材，也允许激发混合工艺气体的特定成分。然而，为保证化学反应在被激i活的粒子真正抵达基材表面时才开始进行，需精心设计工艺过程。

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