低压气相沉积真空镀膜加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，光电器件真空镀膜平台，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
电子束蒸发，行星机构在沉积薄膜时均匀转动，各个基片在沉积Al膜时的几率均等;行星机构的聚焦点在坩埚蒸发源处，各个基片在一定真空度下沉积速率几乎相等。采用磁控溅射镀膜方法，由于沉积电流和靶电压可以控制，也即是溅射功率可以调节并控制，因此膜厚的可控性和重复性较好，并且可在较大表面上获得厚度均匀的膜层。Al膜厚度的测量可采用金属膜厚测量仪，它是根据涡流原理设计制造的无损测厚仪。根据工艺参数，我们制备了一批试样，样品经测试，溅射Al薄膜的平均厚度是1.825μm，电子束蒸发Al薄膜的平均厚度是1.663μm，均符合半导体器件电极对Al膜厚的要求(小信号为1.7±0.15μm;大功率为2.5±0.3μm。
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化学气相沉积(CVD)是反应气体在一定条件下分解并发生化学反应，终生成固态物质沉积在基体表面继而形成薄膜的一种技术。在工艺上与其他薄膜沉积技术相比，具有沉积速度快、膜层质量好等优点，且已广泛应用于电子、光电子、表面改性等领域。该技术的缺点是沉积工艺温度过高，一般在(900℃～1200℃)之间，被处理的基体在高温下易变形、基体晶粒长大、致使基材性能发生改变，甚至某些相对低熔点的合金基材：如(Al合金)无法涂覆，光电器件真空镀膜外协，而PECVD在很大程度上改进了CVD的这些缺点。PECVD技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，光电器件真空镀膜工艺，利用辉光放电(或另加发热体)使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。
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严格控制发Al膜的厚度是十分重要的，因为Al膜的厚度将直接影响Al膜的其它性能，重庆光电器件真空镀膜，从而影响半导体器件的可靠性。对于高反压功率管来说，它的工作电压高，电流大，没有一定厚度的金属膜会造成成单位面积Al膜上电流密度过高，易烧毁。对于一般的半导体器件，Al层偏薄，则膜的连续性较差，呈岛状或网状结构，引起压焊引线困难，造成不易压焊或压焊不牢，从而影响成品率;Al层过厚，引起光刻时图形看不清，造成腐蚀困难而且易产生边缘腐蚀和“连条”现象。
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