刻蚀是用化学、物理、化学物理结合的方法有选择的去除（光刻胶）开口下方的材料。被刻蚀的材料包括硅、介质材料、金属材料、光刻胶。刻蚀是与光刻相联系的图形化处 理工艺。刻蚀就是利用光刻胶等材料作为掩蔽层，通过物理、化学方法将下层材料中没被上层遮蔽层材料遮蔽的地方去掉，从而在下层材料上获得与掩膜板图形对应的图形。
硅晶片的化学蚀刻是通过将晶片浸入蚀刻剂中来完成的，该蚀刻剂传统上是稀释剂或苛性碱溶液的酸性混合物。报道了苛性结晶学蚀刻的各种研究.然而，本文只关注基于酸的蚀刻的传输和动力学效应。实际的反应机理相当复杂，涉及许多基本反应。氢和不同的氮氧化物会产生。已经提出了许多不同条件下硅片溶解的速率方程。
化学清洗槽（也叫酸槽/化学槽），显影设备，主要有HF，H2SO4，显影腐蚀台，H2O2，HCL等酸碱液体按一定比例配置，显影清洗，目的是为了去除杂质，去离子，聊城显影，去原子，后还有DI清洗。IPA是，就是工业酒精，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。
蚀刻气体将气体与衬底分离并从衬底中提取气体。空管。在相同条件下，氧等离子体处理比氮等离子体处理更有效。安等离子蚀刻技术，如果需要蚀刻，如果需要去除蚀刻后的污渍、浮渣、表面处理、等离子聚合、等离子灰化或其他蚀刻应用。附着力、焊接、印刷、涂装、涂装后道工序的附着力和良率。现已成为材料表面性能处理的表面改性工具。
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