微流控材料刻蚀工艺-江西微流控材料刻蚀-半导体研究所

氮化***材料刻蚀加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

 原位芯片目前掌握多种刻蚀工艺，并会根据客户的需求，设计刻蚀效果好且性o价比高的刻蚀解决方案。

 双等离子体源刻蚀机加装有两个射频（RF）功率源，能够更精i确地控制离子密度与离子能量。位于上部的射频功率源通过电感线圈将能量传递给等离子体从而增加离子密度，但是离子浓度增加的同时离子能量也随之增加。下部加装的偏置射频电源通过电容结构能够降低轰击在硅表面离子的能量而不影响离子浓度，从而能够更好地控制刻蚀速率与选择比。原子层刻蚀（ALE）为下一代刻蚀工艺技术，能够精i确去除材料而不影响其他部分。随着结构尺寸的不断缩小，反应离子刻蚀面临刻蚀速率差异与下层材料损伤等问题。原子层刻蚀（ALE）能够精密控制被去除材料量而不影响其他部分，可以用于定向刻蚀或生成光滑表面，是刻蚀技术研究的热点之一。目前原子层刻蚀在芯片制造领域并没有取代传统的等离子刻蚀工艺，而是被用于原子级目标材料精密去除过程。

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不钢钢蚀刻加工缝隙可以做的多小是很多在咨询时常问的一个问题，微流控材料刻蚀技术，不锈钢蚀刻加工缝隙的大小主要和材料厚度、材质有关，下面来简单了解一下。

不锈钢蚀刻加工前有一个***显影的步骤，而***显影过程中，缝隙大小会有一定的误差，行业内通常蚀刻例如0.1mm厚的不锈钢，可以做到0.15mm的小缝隙，公式大概就是缝隙小是材料厚度的1.5-2倍。所以如果知道蚀刻的不锈钢厚度以后，自己大概就可以估算出不锈钢蚀刻缝隙小尺寸了。

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 刻蚀是用化学或物理方法有选择的从硅片表面去除不需要的材料的过程。

 等离子刻蚀的原理可以概括为以下几个步骤：

1、在低压下，微流控材料刻蚀工艺，反应气体在射频功率的激发下，产生电离并形成等离子体，等离子体是由带电的电子和离子组成，反应腔体中的气体在电子的撞击下，除了转变成离子外，还能吸收能量并形成大量的活性基团（Radicals）

2、活性反应基团和被刻蚀物质表面形成化学反应并形成挥发性的反应生成物

3、反应生成物脱离被刻蚀物质表面，并被真空系统抽出腔体。在平行电极等离子体反应腔体中，被刻蚀物是被置于面积较小的电极上，在这种情况，一个直流偏压会在等离子体和该电极间形成，并使带正电的反应气体离子加速撞击被刻蚀物质表面，这种离子轰击可较大加快表面的化学反应，及反应生成物的脱附，从而导致比较高的刻蚀速率，正是由于离子轰击的存在才使得各向异性刻蚀得以实现。

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