天河真空镀膜平台-半导体光刻-透明电极真空镀膜平台

低压气相沉积真空镀膜加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，压点材料真空镀膜平台，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

 蒸发速率正比于材料的饱和蒸气压，温度变化10%左右，饱和蒸气压就要变化一个数量级左右。

 电子束蒸发法是真空蒸发镀膜中常用的一种方法，是在高真空条件下利用电子束进行直接加热蒸发材料，使蒸发材料气化并向衬底输运，在基底上凝结形成薄膜的方法。在电子束加热装置中，被加热的材料放置于水冷的坩埚当中，可避免蒸发材料与坩埚壁发生反应影响薄膜的质量，天河真空镀膜平台，因此，电子束蒸发沉积法可以制备高纯薄膜。

 真空镀膜的物理过程：PVD（物理的气相沉积技术）的基本原理可分为三个工艺步骤：（1）金属颗粒的气化：即镀料的蒸发、升华或被溅射从而形成气化源（2）镀料粒子（（原子、分子或离子）的迁移：由气化源供出原子、分子或离子经过碰撞，产生多种反应。（3）镀料粒子在基片表面的沉积。

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电子束蒸发：将蒸发材料置于水冷坩埚中，利用电子束直接加热使蒸发材料汽化并在衬底上凝结形成薄膜，是蒸度高熔点薄膜和高纯薄膜的一种主要加热方法。为了获得性能良好的半导体电极Al膜，我们通过优化工艺参数，制备了一系列性能优越的Al薄膜。通过理论计算和性能测试，分析比较了电子束蒸发与磁控溅射两种方法制备Al膜的特点。考虑Al膜的致密性就相当于考虑Al膜的晶粒的大小，密度以及能达到均匀化的程度，因为它也直接影响Al膜的其它性能，进而影响半导体哗啦的性能。气相沉积的多晶Al膜的晶粒尺寸随着沉积过程中吸附原子或原子团在基片表面迁移率的增加而增加。由此可以看出Al膜的晶粒尺寸的大小将取决环于基片温度、沉积速度、气相原子在平行基片方面的速度分量、基片表面光洁度和化学活性等因素。

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 一般来说，利用溅镀制程进行薄膜披覆有几项特点：

(1)金属、合金或绝缘物均可做成薄膜材料。

(2)再适当的设定条件下可将多元复杂的靶材制作出同一组成的薄膜。

(3)利用放电气氛中加入氧或其它的活性气体，可以制作靶材物质与气体分子的混合物或化合物。

(4)靶材输入电流及溅射时间可以控制，容易得到高精度的膜厚。

(5)较其它制程利于生产大面积的均一薄膜。

(6)溅射粒子几不受重力影响，靶材与基板位置可自由安排。

(7)基板与膜的附着强度是一般蒸镀膜的10倍以上，且由于溅射粒子带有高量，在成膜面会继续表面扩散而得到硬且致密的薄膜，同时此高量使基板只要较低的温度即可得到结晶膜。

(8)薄膜形成初期成核密度高，可生产10nm以下的薄连续膜。

(9)靶材的寿命长，可长时间自动化连续生产。

(10)靶材可制作成各种形状，配合机台的特殊设计做的控制及有率的生产。

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