黑碳化硅添加至铸件中是多年来生产厂家常用的工艺，但是如果出现石墨斑，大大降低了铸件的美观以及质量，那么在产品的添加中该如何控制呢？
①根据铸件的壁厚适当的调整黑碳化硅当量，尽可能降低碳的含量。
②尽可能减少铸件的壁厚差和局部肥厚的现象。
③适当的减少具有高碳和粗片状石墨的生铁锭的加入量，必要时可以加入一部分废钢。
④如果缺少废钢，黑碳化硅当量很难进一步降低时，可以在炉前用0.2--0.5%的稀土合金对铁水进行孕育处理以便达到细化晶粒和减少石墨的析出量及控制石墨的尺寸的目的。
⑤灰口铸铁孕育处理时，黑碳化硅用途，应该严格控制黑碳化硅的加入量，并充分的搅拌铁水。
⑥采用黑碳化硅对铁水进行孕育时，碳化硅的加入量不可太多，以免产生孕育过度和析出大量石墨，同时孕育处理时应对铁水进行充分的搅拌。
黑碳化硅中硅的测定
1、检测办法：硅的含量需要原子吸收检测，蚌埠黑碳化硅，这种方法检测，数值较。
2、黑碳化硅检测需要颗粒分析仪。可以分析颗粒形状系数 圆度。
3、黑碳化硅径需要电阻法颗粒分析仪，这样的话。
4、微粉的主要分析检测方法：碳化硅中硅的含量决定碳化硅的硬度。碳化硅的粒径大小对线切割影响很大，但的是碳化硅的颗粒形状。因为线切割时碳化硅为游离状态切割颗粒的形状变化对切割效率及切割质量要重要影响。
与普通硅相比，采用碳化硅的元器件有如下特性：
1、高压特性
碳化硅器件是同等硅器件耐压的10倍，黑碳化硅微粉，碳化硅肖特基管耐压可达2400V。碳化硅场效应管耐压可达数万伏，且通态电阻并不很大。
2、高频特性
3、高温特性
在硅材料已经接近理论性能极限的今天，SiC功率器件因其高耐压、低损耗、等特性，一直被视为“理想器件”而备受期待。然而，相对于以往的Si材质器件，SiC功率器件在性能与成本间的平衡以及其对高工艺的需求，将成为SiC功率器件能否真正普及的关键。
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