为了应对硅表面的非平面性问题，晶圆清洗技术至少受到三个不同前沿加工技术的挑战。首先涉及的是CMOS加工。在器件几何形状不断减小时，数字CMOS技术方面的挑战是保持栅结构有足够的电容密度，这是在栅长度减小时维持足够高驱动电流所需要的。一个途径是采用比SiO2介电常数高的栅电介质，另一途径是通过三维结构MOS栅极以增加栅面积又不增加单元电路面积，显影腐蚀机，再一个途径就是二者的结合。
超声清洗：
腐蚀后的MCP是由微米级细孔构成的复杂网状结构，普通的清洗方法一般不能达到孔内，而孔内芯料的反应生成物及其他污染物会在后序工艺中会产生重复污染。无论是采用·溶剂或是清洗液清洗都容易引入新的污染源，泰州腐蚀，然而利用超声波清洗技术却可以实现无重复污染，而且能深入MCP孔内的效果。
全自动真空干燥系统暨应对传统真空干燥缺陷的对策
由于超级电容MODULES在使用过程中经常出现温度升高、充电不足、高温连续使用时膨胀、爆裂的现象，美国MAXWELL确认与超级电容CELL的制造工艺和工艺设备有相关性，TIME一直在研究真空干燥的理由和方法，2006年美国MAXWELL找到了TIME，就开发全工序全自动的真空干燥系统达成协议。
全自动超级电容真空干燥系统系统在各单个制备工序以及在从一道工序转移到下一道工序的过程中完全实现高真空环境；有效排除超级电容内部水、气、杂质的影响；从而提高功率密度，降低内阻，改善高频特性；极大地提升了超级电容单体和模组的一致性及使用寿命等技术参数，同时生产效率数倍提高。
全自动超级电容真空干燥系统系统标准配置：
TE-ZGY全自动预热炉4台﹑TE-ZGL全自动真空干燥炉12台﹑
TE-ZGC半自动真空周转车2台、TE-ZGJ全自动真空手套界面箱1台。
特殊的电应用和光应用中有不断增长的提性能的需求，这要求大大地改进硅以外的许多半导体的制造技术。
这些材料的例子包括锗，因为它有高于Si的电子迁移率，晶圆腐蚀台，有可能与高-k栅介质集成；加工应力沟道Si MOSFET所需的SiGe；以及碳化硅SiC，其带隙很宽。除了******的GaAs外，像GaN、InAs、InSb、ZnO等等一些Ⅲ-Ⅴ族半导体也越来越引起人们的兴趣。
