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④ Diode芯片：
图11为Diode芯片的平面俯视图，正面为阳极，背面为阴极。二极管的电流方向是从上至下的，正好与IGBT的电流方向相反。Diode芯片额定电流为235A，每个IGBT由6个Diode并联组成，总电流可达1410A，与模块手册中的1400A也基本一致。Diode芯片的厚度与IGBT一样，也为200um。关于Diode芯片更详细的参数可以参考手册[2]。
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从而的改变车辆行驶的速度和加速能力。电动汽车3秒可以加速到100公里的强悍起步能力，NV156FHM-N4S液晶屏，就是因为交流电机转速启动特别快，NV156FHM-N6A液晶屏，后面就是IGBT的功劳。
在充电桩上，充电桩从电网上接出来的电流是标准的220伏交流电，而特斯拉电动汽车的电池充电，需要直流电充电，液晶屏，这就需要IGBT将交流电变成直流电，并把电压提高到电动车需要的400伏的
作者：欧凡001
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来源：知乎
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