
当MOSFET的沟道形成后,NV173FHM-N4F液晶屏,从P+基极注入到N-层的空穴(少子),对N-层进行电导调制,减小N-层的电阻,NV173FHM-N4G液晶屏,使IGBT在高电压时,也具有低的通态电压。
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