3．1．2 陶瓷封装早期的半导体封装多以陶瓷封装为主，伴随着半导体器件的高度集成化和高速化的发展，电子设备的小型化和价格的降低，陶瓷封装部分地被塑料封装代替，但陶瓷封装的许多用途仍具有很多的功能，特别是集成电路组件工作频率的提高，信号传送速度的加快和芯片功耗的增加，晶圆酸洗，需要选择低电阻率的布线导体材料，低介电常数，高导电率的绝缘材料等。陶瓷封装的种类有DIP和SIP；对大规模集成电路封装包括PGA﹑PLCC﹑QFP和BGA。
干法刻蚀有化学反应、物理去除以及化学物理混合去除三种方式，晶圆腐蚀设备，性能各有优劣。其中，物理性 刻蚀，又称离子束溅射刻蚀，原理是使带能粒子在强电场下加速，这些带能粒子通过溅射刻蚀作 用去除未被保护的硅片表面材料，化学性刻蚀，又称等离子体刻蚀，纯化学刻蚀作用中，通过等 离子体产生的自由基和反应原子与硅片表面的物质发生化学反应达到刻蚀的效果，可以得到较好 的刻蚀选择性和较高的刻蚀速率。
硅晶片的化学蚀刻是通过将晶片浸入蚀刻剂中来完成的，该蚀刻剂传统上是稀释剂或苛性碱溶液的酸性混合物。报道了苛性结晶学蚀刻的各种研究.然而，本文只关注基于酸的蚀刻的传输和动力学效应。实际的反应机理相当复杂，涉及许多基本反应。氢和不同的氮氧化物会产生。已经提出了许多不同条件下硅片溶解的速率方程。
化学清洗槽（也叫酸槽/化学槽），宿迁晶圆，主要有HF，晶圆清洗机，H2SO4，H2O2，HCL等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，去离子，去原子，后还有DI清洗。IPA是，就是工业酒精，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。
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