
电压上,才能给7000节18650电池充电。IGBT的性能直接决定了电动车的充电效率和充电速度。
IGBT导通的时候,能够承受几十到几百安培量级的电流,当断开时,可以承受几百到几千伏的电压,而且IGBT在巨大的电流电压下,还能有极高的开关速度,一秒钟能达到1万次。因此IGBT的好坏,就直接决定了电动汽车的加速快慢,高时速是多少,电耗高低,NV133FHM-N5B液晶屏,能不能秒级起跑
作者:欧凡001
链接:https:///question/274705811/answer/1276788644
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现了,碳化硅Sic器件能提高2.5倍的工作频率,耐压扩充10倍到2万伏,HB133WX1-402液晶屏,降低了80%的工作损耗,Sic器件的工作结温在200度以上,而且能做到很高耐压的情况下芯片很薄,NT140WHM-N45液晶屏,散热良好并且节省空间。Sic碳化硅IGBT缺点就是成本比Si硅基IGBT贵6倍,因为高氧栅极影响造成良品率问题,但
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