硅材料刻蚀工艺-天河硅材料刻蚀-半导体测试(查看)

氮化***材料刻蚀加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

清洗方式︰

水平喷淋式:这种方法速度快，清洗效果好;

垂直浸泡式:速度较慢，可选用超声波清洗效果会更好﹔

测试清洁度的方法∶双手侧捧清洗后的金属片材，放入干净的清水中，45°角拿起，天河硅材料刻蚀，板面水膜维持15秒不破，若水膜马上从中间或边上破开，则清洗度不够需要重新清洗。

材料清洗对于蚀刻加工来说至为重要，直接影响感光油墨附着，显影的度，硅材料刻蚀版厂家，蚀刻的精度等，所以清洗是蚀刻加工流程的一环。

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刻蚀，它是半导体制造工艺，微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。

氮化硅的干法刻蚀S13N4在半导体工艺中主要用在两个地方。1、用做器件区的防止氧化保护层（厚约lOOnm）。2、作为器件的钝化保护层。在这两个地方刻蚀的图形尺寸都比较大，非等向的刻蚀就不那么重要了。刻蚀Si3N4时下方通常是厚约25nm的Si02，为了避免对Si02层的刻蚀，Si3N4与S102之间必须有一定的刻蚀选择比。S13N4的刻蚀基本上与Si02和Si类似，常用CF4+0等离子体来刻蚀。但是Si-N键强度介于Si-Si与Si-0之间，因此使Si3N4对Si或Si02的刻蚀选择比均不好。在CF4的等离子体中，Si对Si3N4的选择比约为8，而Si3N4对Si02的选择比只有2—3，在这么低的刻蚀选择比下，刻蚀时间的控制就变得非常重要。除了CF4外，也有人改用兰氟化氮(NF3)的等离子体来刻蚀Si3N4，虽然刻蚀速率较慢，但可获得可以接受的Si3N4/Si02的刻蚀选择比。

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 温度越高刻蚀效率越高，但是温度过高工艺方面波动较大，只要通过设备自带温控器和点检确认。

 深硅刻蚀是MEMS器件工艺当中很重要的一个工艺，根据不同应用对深硅刻蚀有不同的侧壁形貌要求，深硅刻蚀的刻蚀方式有BOSCH工艺、Cryo工艺、mix工艺，而常用的工艺是用BOSCH工艺，刻蚀深度可以达到400微米，深宽选择比可以达到20:1.

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