氮化***材料刻蚀加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，半导体材料刻蚀代工，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
等离子会释放带正电的离子来撞击晶圆以去除（刻蚀）材料，并和活性自由基产生化学反应。
温度越高刻蚀效率越高，但是温度过高工艺方面波动较大，半导体材料刻蚀加工平台，只要通过设备自带温控器和点检确认。刻蚀流片的速度与刻蚀速率密切相关喷淋流量的大小决定了基板表面药液置换速度的快慢，流量控制可保证基板表面药液浓度均匀。过刻量即测蚀量，适当增加测试量可有效控制刻蚀中的点状不良作业数量管控：每天对生产数量及时记录，达到规定作业片数及时更换。作业时间管控：由于药液的挥发，所以如果在规定更换时间未达到相应的生产片数药液也需更换。
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清洗方式︰
水平喷淋式:这种方法速度快，清洗效果好;
垂直浸泡式:速度较慢，可选用超声波清洗效果会更好﹔
测试清洁度的方法∶双手侧捧清洗后的金属片材，湖南半导体材料刻蚀，放入干净的清水中，45°角拿起，板面水膜维持15秒不破，若水膜马上从中间或边上破开，则清洗度不够需要重新清洗。
材料清洗对于蚀刻加工来说至为重要，直接影响感光油墨附着，显影的度，蚀刻的精度等，所以清洗是蚀刻加工流程的一环。
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刻蚀，它是半导体制造工艺，微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。
氮化硅的干法刻蚀S13N4在半导体工艺中主要用在两个地方。1、用做器件区的防止氧化保护层（厚约lOOnm）。2、作为器件的钝化保护层。在这两个地方刻蚀的图形尺寸都比较大，非等向的刻蚀就不那么重要了。刻蚀Si3N4时下方通常是厚约25nm的Si02，为了避免对Si02层的刻蚀，Si3N4与S102之间必须有一定的刻蚀选择比。S13N4的刻蚀基本上与Si02和Si类似，常用CF4+0等离子体来刻蚀。但是Si-N键强度介于Si-Si与Si-0之间，因此使Si3N4对Si或Si02的刻蚀选择比均不好。在CF4的等离子体中，半导体材料刻蚀公司，Si对Si3N4的选择比约为8，而Si3N4对Si02的选择比只有2—3，在这么低的刻蚀选择比下，刻蚀时间的控制就变得非常重要。除了CF4外，也有人改用兰氟化氮(NF3)的等离子体来刻蚀Si3N4，虽然刻蚀速率较慢，但可获得可以接受的Si3N4/Si02的刻蚀选择比。
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