




半导体器件有许多封装型式,从DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到CSP再到SIP,无锡硅片,技术指标一代比一代***,这些都是前人根据当时的组装技术和市场需求而研制的。总体说来,它大概有三次重大的革新:在上世纪80年代从引脚插入式封装到表面贴片封装,极大地提高了印刷电路板上的组装密度;第二次是在上世纪90年代球型矩正封装的出现,它不但满足了市场高引脚的需求,而且大大地改善了半导体器件的性能;晶片级封装、系统封装、芯片级封装是现在第三次革新的产物,其目的就是将封装减到小
干法刻蚀有化学反应、物理去除以及化学物理混合去除三种方式,性能各有优劣。其中,物理性 刻蚀,又称离子束溅射刻蚀,原理是使带能粒子在强电场下加速,这些带能粒子通过溅射刻蚀作 用去除未被保护的硅片表面材料,化学性刻蚀,又称等离子体刻蚀,纯化学刻蚀作用中,通过等 离子体产生的自由基和反应原子与硅片表面的物质发生化学反应达到刻蚀的效果,可以得到较好 的刻蚀选择性和较高的刻蚀速率。
刻蚀工艺顺序位于镀膜和光刻之后。简单来说,刻蚀机的作用就好像是雕刻中的刻刀一样,利用光学-化学反应原理和化学、物理等刻蚀方法,将晶圆表面附着的不必要的材质进行去除,留下的就是晶圆所需要的材质和附着在其上的光刻胶。然后再多次重复上述步骤,硅片腐蚀机,就可得到构造复杂的集成电路。
化学清洗槽(也叫酸槽/化学槽),硅片酸洗机,主要有HF,H2SO4,硅片清洗机,H2O2,HCL等酸碱液体按一定比例配置,目的是为了去除杂质,去离子,去原子,后还有DI清洗。IPA是,就是工业酒精,是用来clean机台或parts的,是为了减少partical的。
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