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③ IGBT芯片:
模块内部采用的IGBT芯片型号为:IGCT136T170,手册可以从英飞凌。图8 为IGBT芯片的平面俯视图和基本参数。IGBT的门极和发射极在芯片的上方(正面),液晶屏,集电极在下方(背面),芯片的厚度为200um。IGBT开
HV320WHB-F70京东方32"液晶玻璃1366×768 01200:189/89/89/8916.7M无背光Mini LVDS

从而的改变车辆行驶的速度和加速能力。电动汽车3秒可以加速到100公里的强悍起步能力,就是因为交流电机转速启动特别快,后面就是IGBT的功劳。
在充电桩上,充电桩从电网上接出来的电流是标准的220伏交流电,而特斯拉电动汽车的电池充电,需要直流电充电,这就需要IGBT将交流电变成直流电,并把电压提高到电动车需要的400伏的
作者:欧凡001
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来源:知乎
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当MOSFET的沟道形成后,从P+基极注入到N-层的空穴(少子),对N-层进行电导调制,减小N-层的电阻,NT140WHM-N44液晶屏,使IGBT在高电压时,也具有低的通态电压。
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