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LD320DUY-SPA1LG Disy32"液晶玻璃1920×1080 01100:189/89/89/8916.7M无背光LVDS
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当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N-层的空穴（少子），液晶屏，对N-层进行电导调制，减小N-层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。
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④ Diode芯片：
图11为Diode芯片的平面俯视图，正面为阳极，背面为阴极。二极管的电流方向是从上至下的，正好与IGBT的电流方向相反。Diode芯片额定电流为235A，每个IGBT由6个Diode并联组成，总电流可达1410A，与模块手册中的1400A也基本一致。Diode芯片的厚度与IGBT一样，也为200um。关于Diode芯片更详细的参数可以参考手册[2]。
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