




微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一,主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究,兼顾重大技术应用的基础研究,立足于广东省经济社会发展的实际需要,黑龙江图形光刻加工,从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究,以及行业应用技术开发。
在芯片制作过程中,如果有涉及掩膜光刻的工艺,就需要使用到光刻掩膜版。
具体需要几块掩膜版,根据终器件功能需求及芯片设计不同,需求数量也有不同。只需要一次光刻,制作也只需要1块光刻掩膜版,如需多次光刻,就要多块掩膜版。
无掩膜版光刻即不采用光刻掩膜版的光刻技术,主要分为两类,即带电粒子无掩膜光刻和光学无掩膜技术。
无掩膜光刻具备分辨率高、成本较低等优势,同时也面临着生产效率低的问题。电子束之间的干扰易造成邻近效应,耗时长,激光束准确度不稳定,与现有成熟工艺兼容不够等都是想要进入量产阶段需要克服和解决的问题。

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光刻掩膜版清洗一般使用掩膜版清洗液,是有专门的额清洗机器的。首先将掩膜版放入掩膜版清洗机一边冲洗一边旋转,将污染颗粒冲洗干净,之后在高速旋转烘干。目前而言,掩膜版清洗机可以清洗的掩膜版尺寸包括3寸,4寸,5寸,6寸的掩膜版。
光刻是一门比较综合的技术,它采用照相复印的技术,将光刻掩膜版上的图形在涂有光刻胶的金属蒸发层上。如果掩膜版受光刻胶污染,很大程度上会影响***,带来影响,因此光刻过程中需要保持掩膜版的干净。
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决定光刻胶涂胶厚度的关键参数:光刻胶的黏度(Viscosity),图形光刻加工价格,黏度越低,光刻胶的厚度越薄;
动态喷洒法:随着硅片尺寸越来越大,静态涂胶已经不能满足较新的硅片加工需求。相对静态旋转法而言,动态喷洒法在光刻胶对硅片进行浇注的时刻就开始以低速旋转帮助光刻胶进行较初的扩散。这种方法可以用较少量的光刻胶形成更均匀的光刻胶铺展,较终以高速旋转形成满足厚薄与均匀度要求的光刻胶膜。集成电路的制程工艺水平按已由微米级、亚微米级、深亚微米级进入到纳米级阶段。集成电路线宽不断缩小的趋势,对包括光刻在内的半导体制程工艺提出了新的挑战。
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