清洗流程的操作规范：
(1) 用(ACE)、异bing醇(IPA)、去离子(DI)水依次进行超声清洗超声设备内槽、烧杯、花篮、卡塞及样品盒；
(2) 在二个超声设备的内槽分布倒入 2000 - 4000 ml的和异bing醇溶液，具体的溶液体积由内槽的容积来定，保证溶液水平面在花篮上平面以上；在一个烧杯中倒入2000 ml溶液；记录溶液更换日期，按每2000 ml溶液清洗250片晶片的要求规划溶液的清洗次数；
(3) 将晶片用花篮盛放并将其置于内槽中，设置超声的温度60°C，并计时超声清洗晶片10分钟，用盖将内槽封闭，并记录溶液累计使用片数；
(4) 将放有晶片的花篮取出冲水5分钟；
(5) 将花篮置于异bing醇中，设置溶液温度60°C，记时超声清洗晶片10分钟，用盖将内槽封闭，记录溶液累计使用片数； (5) 将放有晶片的花篮取出冲水5分钟；
(6) 将放有晶片的花篮置于已配制好的***(共1200 ml，H2SO4 : H2O2 =3:1)溶液中，计时10分钟，并记录溶液使用累计片数；保持溶液的温度为90°C。如果溶液不是新配溶液，需向溶液中按溶液的1/3加入溶液；
(7) 将放有晶片的花篮取出冲水5分钟；
(8) 将晶片从花篮中取出，放置到te制的卡塞中，将放有晶片的卡塞置于兆声波设备内槽中，在60°C兆声清洗10分钟；
(9) 将放有晶片的卡塞取出冲水10分钟；
(10) 将放有晶片的卡塞放入甩干机中，烘干。
晶圆清洗是半导体制造典型工序中常应用的加工步骤。就硅来说，清洗操作的化学制品和工具已非常成熟，有多年广泛深入的研究以及重要的工业设备的支持。所以，硅清洗技术在所有具实际重要性的半导体技术中是为成熟的。di一个完整的、基于科学意义上的清洗程序在1970年就提出了，扬州腐蚀，这是专门设计用于清除Si表面的微粒、金属和有机污染物。
随着工业自动化的进步和劳动力成本的增加，干冰清洗设备下业进入新一轮景气周期从而带来干冰清洗设备市场需求的膨胀，晶圆腐蚀台，干冰清洗设备行业的销售回升明显，供求关系得到改善，行业盈利能力稳步提升。同时，在***“十二五”规划和产业结构调整的大方针下，碱腐蚀，干冰清洗设备面临巨大的市场***机遇，酸腐蚀清洗设备，行业有望迎来新的发展契机。
与喷钢砂，喷玻璃砂，喷塑料砂和喷苏打相似，干冰喷射介质干冰颗粒在高压气流中加速，冲击要清洗的表面。干冰清洗的特别之处在于干冰颗粒在冲击瞬间气化。干冰颗粒的动量在冲击瞬间消失。干冰颗粒与清洗表面间迅速发生热交换。致使固体CO2迅速升华变为气体。干冰颗粒在千分之几秒内体积膨胀近800倍，这样就在冲击点造成“微型·”。由于CO2挥发掉了，干冰清洗过程没有产生任何二次废物，留下需要收集清理的只是清除下来的污垢。
