半导体加工(图)-镀膜微纳加工服务-山东镀膜微纳加工

MEMS微纳加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

微纳加工中:自对准的双重成像、双线条光刻、双重光刻工艺中的双沟槽光刻技术、三重光刻等都是硬掩膜的主要应用。那么他，它在双沟槽光刻的工艺流程又是如何的呢?﹖我们简单的了解下。

1.硬掩模层(如SiN)被沉积在衬底上。光刻胶材料(PR/BARC)被旋涂在硬掩模之上。

⒉.次光刻之后，在光刻胶上形成沟槽密度为设计时一半的图形，即占空比(沟槽与线条比值)为1:3。

3.采用刻蚀工艺将图形转移到硬掩模层。剥离残余光刻胶之后，做第二次光刻。第二次光刻可以使用不同的光刻材料。第二次光刻的图形，同样通过刻蚀被转移到硬掩模上。

4.把硬掩模上的图形刻蚀到衬底上。

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按照微纳制品的空间结构形式可以分为一维、二维和三维微纳制造。

通过光刻技术制作出的微纳结构需进一步通过刻蚀或者镀膜，才可获得所需的结构或元件。刻蚀技术，是按照掩模图形对衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术，可分为湿法刻蚀和干法刻蚀。湿法刻蚀较普遍、也是设备成本较低的刻蚀方法。大部份的湿刻蚀液均是各向同性的，换言之，对刻蚀接触点之任何方向腐蚀速度并无明显差异。然而自1970年代起，报道了许多有关碱性或有机溶液腐蚀单晶硅的文章，其特点是不同的硅晶面腐蚀速率相差极大，尤其是方向，足足比或是方向的腐蚀速率小一到两个数量级！因此，腐蚀速率较慢的晶面，往往便是腐蚀后留下的特定面。干法刻蚀利用等离子体来进行半导体薄膜材料的刻蚀加工。其中等离子体必须在真空度约10至0.001Torr的环境下，才有可能被激发出来；而干刻蚀采用的气体，或轰击质量颇巨，或化学活性极高，镀膜微纳加工厂商，均能达成刻蚀的目的。其较重要的优点是能兼顾边缘侧向侵蚀现象极微与高刻蚀率两种优点。干法刻蚀能够满足亚微米/纳米线宽制程技术的要求，且在微纳加工技术中被大量使用。

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在传统加工方法上发展起来的微机械加工技术，如微车削、微铣削、微磨削技术等。

 微纳制造技术属国际前沿技术，作为未来制造业赖以生存的基础和可持续发展的关键，其研发和应用标志着人类可以在微、纳米尺度认识和改造世界。以聚合物为基础材料的微纳系统在整个微纳系统中占有极其重要地位，是较具产业化开发前景的微纳系统之一，镀膜微纳加工代工，聚合物微纳制造技术也已经开始得到应用并具有极大的发展空间。集中介绍了多种典型聚合物微纳器件及系统，并对微注塑成型、微挤出成型和微纳压印成型等聚合物微纳制造技术进行了系统的阐述，比较了各种聚合物微纳制造技术的优缺点和使用条件。末尾，结合国内外研究人员的研究成果，对聚合物微纳制造技术的未来发展做出展望。

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