2、扩散
扩散是为电池片制造心脏，是为电池片制造P-N结，POCl3是当前磷扩散用较多的选择。POCl3为液态磷源，液态磷源扩散具有生产效率较高、稳定性好、制得PN结均匀平整及扩散层表面良好等优点。
POCl3在大于600℃的条件下分解生成***（PCl5）和***（P2O5），PCl5对硅片表面有腐蚀作用，当有氧气O2存在时，PCl5会分解成P2O5且释放出***，所以扩散通氮气的同时通入一定流量的氧气。P2O5在扩散温度下与硅反应，生成二氧化硅和磷原子，生成的P2O5淀积在硅片表面与硅继续反应生成SiO2和磷原子，并在硅片表面形成磷-硅玻璃（PSG），磷原子向硅中扩散，制得N型半导体。
电路板清洗前的准备
一清洗前的准备清洗前必须把电路板上包括跳线插，卡板，电池和IC等所有的接插件小心一一拔出，电位器，变压器和螺线管线圈（电感线圈）也必须从电路板上卸下。［注意：非电子***人员请勿进行此项操作，因若不具备电子***技术，在拆卸时很容易损坏零部件和电路板，幸好电脑相关的电路板上基本上没有这些元件］。
因此等元件一旦进水，其缝隙或线匝间的水滴很难被压缩气吹扫出来和水分很难被烘干，拆卸时必须逐一做好记录，以确保清洗完毕后复原时不致出错。同时顺便检查一下电路板上的电解电容是否有漏液或顶部鼓起的现象，如有，则应将其卸除，并做好记录，以便在电路板清理完毕后换等值的新品。
对于电脑电源的电路板，则还应检查其印刷电路的焊盘与元件脚之间是否有裂纹活脱焊，特别***检查大功率的元部件，如发现有裂纹活脱焊，应马上补焊，发现一处补焊一处，否则容易遗漏。
六、镀减反射膜
抛光硅表面的反射率为35%,为了减少表面反射,提高电池的转换效率,需要沉积一层氮化硅减反射膜。现在工业生产中常采用PECVD设备制备减反射膜。PECVD即等离子增强型化学气相沉积。它的技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体SiH4和NH3，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜即氮化硅薄膜。
硅片是半导体材料的基石，它是先通过拉单晶制作成硅棒，然后切割制作成的。由于硅原子的价电子数为4,序数适中,所以硅元素具有特殊的物理化学性质，可用在化工、光伏、芯片等领域。特别是在芯片领域，正式硅元素的半导体特性,使其成为了芯片的基石。在光伏领域，可用于太阳能发电。而且地球的地壳中硅元素占比达到25.8%，开采较为方便，可回收性强，所以价格低廉,进-步增强了硅的应用范围。
