




***薄膜原子层沉积制备及其光学与电学特性研究
通过对原子层沉积过程中生长条件和反应前驱体的控制,制备了厚度在纳米级别可控的***薄膜,高纯***,并实现了薄膜掺杂。同时研究了所制备超薄膜的光学和电学特性,为***超薄膜在光学器件和能量存储等领域的应用奠定了材料基础。本文主要研究内容和成果体现在以下几方面:首先,通过改变生长条件对***薄膜的生长进行调节,研究了薄膜厚度、形貌、组分、晶体结构等基本特性。发现薄膜的生长模式属于先层状生长,再岛状生长的Stranski-Krastanov模式,分析并比较了两种模式下薄膜形貌,生长速率,结构特性的区别,***生产厂家,证明这两种生长模式的差异是由***晶体趋向于沿[010]方向生长的特性决定的。

***的理化特性
***的理化特性
外观与性状黄或红色结品粉om pH值:弱酸性熔点(℃):690相对密度(水=1):3.35
闪点(℃):无资料 上限%(V/V):无意义
引燃温度(℃):无意义 下限%(V/V): 无意义
溶解性:微溶于水,在水中的溶解度0.8 g/100 mL(20°C),***厂家,不溶于乙醇,溶于浓酸、碱。
主要用途:作接触法制***的催化剂,也可做多种有机化合物氧化反应的催化剂,如蓖氧化为蒽醒等。还用于制造彩色玻璃和陶资
其它理化性质:分解温度 1750℃
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还原***制备二氧化钒粉末
采用碳热法还原V2O5制备钒的氧化物VO2.用XRD分析生成物的相结构,武汉***,用DSC/TGA的分析结果推测反应历程.结果表明:反应经历了674°C-710°C期间生成V6O13和710°C以上完全形成VO2的过程.将VO2与LAS玻璃复合烧结成陶瓷,对其进行阻温测试,结果表明:在室温至100°C间复合陶瓷电阻急骤下降,这是由VO2的半导体-金属相变效应引起的.
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