




微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一,主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究,兼顾重大技术应用的基础研究,立足于广东省经济社会发展的实际需要,从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究,以及行业应用技术开发。
光刻掩膜版清洗方法
掩膜版因为称光罩,是光刻过程中的一个工具,关于掩膜版的清洗方法多样,掩膜版厂家所提供的的清洗方法是用饱和的NaOH溶液浸泡5min, 用去离子水冲洗,然后用50%泡5min,用去离子水冲洗,天津芯片光刻制作,氮气吹干。
当然也有专门的设备,一般先使用掩膜版清洗液,将掩膜版放入掩膜板清洗机边冲洗边旋转,将污染颗粒冲洗干净。之后高速旋转甩干。掩膜板清洗机可清洗3寸、4寸、5寸、6寸掩膜。
1.掩膜版RCA清洗方法
2.掩膜版UV+O?清洗方法
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微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一,主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究,兼顾重大技术应用的基础研究,立足于广东省经济社会发展的实际需要,从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究,以及行业应用技术开发。
光刻可能会出现显影不干净的异常,主要原因可能是显影时间不足、显影溶液使用周期过长,溶液溶解胶量较多、***时间不足。
光刻是平面型晶体管和集成电路生产中的一个主要工艺。是对半导体晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)进行开孔,以便进行杂质的定域扩散的一种加工技术。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准***、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。硅片清洗烘干方法:湿法清洗+去离子水冲洗+脱水烘焙(热板150~250C,1~2分钟,芯片光刻制作平台,氮气保护)目的:
a、除去表面的污染物(颗粒、有机物、工艺残余、可动离子);
b、除去水蒸气,使基底表面由亲水性变为憎水性,芯片光刻制作厂商,增强表面的黏附性(对光刻胶或者是HMDS-〉六甲i基二硅胺烷)。
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接触式光刻机,***时,光刻版压在涂有光刻胶的衬底上,优点是设备简单,分辨率高,芯片光刻制作服务价格,没有衍射效应,缺点是光刻版与涂有光刻胶的晶圆片直接接触,每次接触都会在晶圆片和光刻版上产生缺陷,降低光刻版使用寿命,成品率低。
光刻胶是光刻工艺的材料:光刻胶又称光致抗蚀剂,它是指由感光树脂、增感剂和溶剂三种主要成分构成的对光敏感的混合液体。
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