当坯体在炉内受热时坯体周围的Si熔融，绿碳化硅砂，渗入到坯体的毛细管中同坯体中的C反应生成SiC。产生的SiC逐渐填充坯体中的孔隙，并把原有的α-SiC连结起来，达到制品的致密化，并获得强度。由此可见，黑碳化硅，碳化硅的制备过程离不开碳源。碳源的选项有石墨、炭黑、树脂等，其中炭黑是使用历史较为长久的一种。但在实际应用中，炭黑的用量也需讲究一个度，加多加少都会对碳化硅的***与性能造成极大的影响，因此许多研究员开始对其适宜用量展开了研究
例如在文献I中记载了一种方法，将含有大量杂质的碳化硅粉末加入真空容器中，在真空度为9 X 10_5torr~I X IO^torr的范围内且1500°C~1700°C的温度范围内进行加热，由此除去碳化硅粉末中的杂质，从而制造高纯碳化硅粉末。然而，在真空中进行升温的文献I的方法的装置复杂、价格高，并且无法在工业上一次性地进行大量生产。文献中记载了一种高纯碳化硅粉的制造方法，将含有大量杂质的碳化硅粉与的混合物导入密闭`容器内，在加压下进行加热处理。
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