宣城湿法-湿法清洗机-苏州晶淼半导体(推荐商家)

清洗流程的操作规范：

(1) 用(ACE)、异bing醇(IPA)、去离子(DI)水依次进行超声清洗超声设备内槽、烧杯、花篮、卡塞及样品盒；

(2) 在二个超声设备的内槽分布倒入 2000 - 4000 ml的和异bing醇溶液，具体的溶液体积由内槽的容积来定，保证溶液水平面在花篮上平面以上；在一个烧杯中倒入2000 ml溶液；记录溶液更换日期，按每2000 ml溶液清洗250片晶片的要求规划溶液的清洗次数；

(3) 将晶片用花篮盛放并将其置于内槽中，设置超声的温度60°C，并计时超声清洗晶片10分钟，用盖将内槽封闭，湿法清洗机，并记录溶液累计使用片数；

(4) 将放有晶片的花篮取出冲水5分钟；

(5) 将花篮置于异bing醇中，设置溶液温度60°C，记时超声清洗晶片10分钟，用盖将内槽封闭，记录溶液累计使用片数；  (5) 将放有晶片的花篮取出冲水5分钟；

(6) 将放有晶片的花篮置于已配制好的***(共1200 ml，湿法设备，H2SO4 : H2O2 =3:1)溶液中，计时10分钟，并记录溶液使用累计片数；保持溶液的温度为90°C。如果溶液不是新配溶液，需向溶液中按溶液的1/3加入溶液；

(7) 将放有晶片的花篮取出冲水5分钟；

(8) 将晶片从花篮中取出，放置到te制的卡塞中，将放有晶片的卡塞置于兆声波设备内槽中，在60°C兆声清洗10分钟； 

(9) 将放有晶片的卡塞取出冲水10分钟； 

(10) 将放有晶片的卡塞放入甩干机中，湿法清洗台，烘干。

酸加氧化剂清洗:

　　酸加氧化剂清洗液配方为:HCI∶H2O2∶H2O=1∶5∶5~1∶10∶10，宣城湿法，可溶解碱金属离子，并生成碳酸盐和铝、铁及镁之氢氧化物，另外盐酸中氯离子与残留金属离子发生络合反应形成易溶于水溶液的络合物，也可去除金属污染物。一方面可以去除有机物污染，另外配合搅拌和超声过程中形成的大量气泡对表面大颗粒污染物产生较大冲击力，使污染物脱离表面。

     为了应对硅表面的非平面性问题，晶圆清洗技术至少受到三个不同前沿加工技术的挑战。首先涉及的是CMOS加工。在器件几何形状不断减小时，数字CMOS技术方面的挑战是保持栅结构有足够的电容密度，这是在栅长度减小时维持足够高驱动电流所需要的。一个途径是采用比SiO2介电常数高的栅电介质，另一途径是通过三维结构MOS栅极以增加栅面积又不增加单元电路面积，再一个途径就是二者的结合。