低压气相沉积真空镀膜MEMS真空镀膜加工平台——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
一般来说:提高电压可以提高离化率。这样电流会增加，所以会引起阻抗的下降。提高电压时，阻抗的降低会大幅度地提高电流，即大幅度提高了功率。如果气体压强不变，溅射源下的基片的移动速度也是恒定的，那么沉积到基片上的材料的量则决定于施加在电路上的功率。在VONARDENNE镀膜产品中所采用的范围内，功率的提高与溅射速率的提高是一种线性的关系。
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工艺和产品趋势
·从以开始，半导体工业就呈现出在新工艺和器件结构设计上的持续发展。工艺的改进是指以更小尺寸来制造器件和电路，并使之具有更高的密度，更多的数量和更高的可靠性。
·尺寸和数量是IC发展的两个共同目标。
·芯片上的物理尺寸特征称为特征尺寸，将此定义
为制造复杂性水平的标准。
·通常用微米来表示。一微米为1/10000厘米。
·Gordon Moore在1964年预言IC的密度每隔18～24个月将翻一番，——摩尔定律。
一个尺寸相同的芯片上，所容纳的晶体管数量，因制程技术的提升，每18个月到两年晶体管数量会加倍，IC性能也提升1倍。现以1961年至2006年期间半导体技术的发展为例加以说明，IC电路线宽由25微米减至65纳米，晶圆直径由1英寸增为12英寸，贵州低压气相沉积真空镀膜，每一芯片_上由6个晶体管增为80亿个晶体管，DRAM密度增加为4G位，晶体管年销售量由1000万个增加到10的18次方至19次方个，低压气相沉积真空镀膜平台，但晶体管平均售价却大幅下降10的9次方倍。
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(7)流量计I置于阀控档(看是否有读数，一般为30。否则查明原因)，调节控制电离真空计示数约1Pa，调节直流或射频电源到所需功率，开始镀膜。
(8)镀膜过程中注意设备工作状态，若工艺参数有异常变化应及时纠正或停止镀膜，低压气相沉积真空镀膜代工，问题解决后方可重新镀膜。
(9)镀膜完毕后，关闭直流或射频电源，关闭气阀门。将挡板逆时针旋至通路。当气罐流量变为零后，关闭流量计I，继续抽半个小时到两个小时。
(10)关闭流量显示仪和电离真空计，停止分子泵，频率降至100HZ后关闭机械泵，5分钟后关闭分子泵，关闭总电源。
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