河北真空镀膜工艺-半导体材料-高熵合金真空镀膜工艺

真空镀膜工艺MEMS真空镀膜加工平台——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，高熵合金真空镀膜工艺，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

真空镀膜是一种将待镀材料和被镀基材放置于真空室内，采用一定方法加热待镀材料，使之蒸发或升华并飞溅到被镀基材表面凝聚成膜的表面处理工艺，如图所示。

真空镀膜工艺可使塑料表面具有金属质感，并赋予一定的导电性能，其基材选择广泛，过程环保***，颜色相较电镀更加丰富。此工艺可分为三种类型：蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀。

真空镀膜原理图

在内外饰系统中，荣威标牌嵌件是采用真空镀膜的典型零件。通过标牌嵌件背面镀的银色铝膜与淡***PMMA基材共同形成了的金色狮子华表图案。荣威标牌嵌件采用的是真空镀膜工艺中的溅射镀膜。真空镀膜典型零件及镀膜机实物图如图所示。

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气体环境

真空系统和工艺气体系统共同控制着气体环境。

首先，真空泵将室体抽到一个高真空(大约为10-torr)。然后，河北真空镀膜工艺，由工艺气体系统(包括压强和流量控制调节器)充入工艺气体，将气体压强降低到大约2X10-3torr。为了确保得到适当质量的同一膜层，工艺气体必须使用纯度为99.995%的高纯气体。在反应溅射中，在反应气体中混合少量的惰性气体(如)可以提高溅射速率。

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由工作气压与沉积率的关系表可以看出:在其他参数不变的条件下，随着工气压的增大，沉积速增大后减小。在某一个佳工作气压下，有一个对应的大沉积速率。

3.5.1试验结果分析

气体分子平均自由程与压强有如下关系

其中为气体分子平均自由程，k为玻耳兹曼常数，T为气体温度，氮化硅真空镀膜工艺，d为气体分子直径，p为气体压强。由此可知，在保持气体分子直径和气体温度不变的条件下，如果工作压强增大，则气体分子平均自由程将减小，溅射原子与气体分子相互碰撞次数将增加，二次电子发射将增强。

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