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现了,碳化硅Sic器件能提高2.5倍的工作频率,液晶屏,耐压扩充10倍到2万伏,降低了80%的工作损耗,Sic器件的工作结温在200度以上,而且能做到很高耐压的情况下芯片很薄,散热良好并且节省空间。Sic碳化硅IGBT缺点就是成本比Si硅基IGBT贵6倍,因为高氧栅极影响造成良品率问题,但
作者:欧凡001
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来源:知乎
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