微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
光刻其实是由多步工序所组成的。
1.清洗：
2.旋涂：
3.***。
4.显影：
5.后烘。
边缘的光刻胶一般涂布不均匀，不能得到很好的图形，而且容易发生剥离（Peeling）而影响其它部分的图形。所以需要去除。方法：
a、化学的方法（ChemicalEBR）。软烘后，用PGMEA或EGMEA去边溶剂，喷出少量在正反面边缘处，并小心控制不要到达光刻胶有效区域；
b、光学方法（OpticalEBR）。即硅片边缘***。
在完成图形的***后，用激光***硅片边缘，然后在显影或特殊溶剂中溶解；对准方法：
a、预对准，通过硅片上的notch或者flat进行激光自动对准；
b、通过对准标志（AlignMark），位于切割槽（ScribeLine）上。
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微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，半导体光刻技术平台，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。半导体光刻技术
2003年，光刻掩膜版的90nm工艺的主流光刻技术是193nm准分子激光扫描分布投影光刻机（ArF Scanner），的光学光刻机巨头Nikon、A***L和CANON都推出了193nm ArF Scanner。
特征尺寸为45nm的光刻技术包括193nm ArF干法光刻技术、193nm ArF浸没式光刻技术二次成像与二次***技术、带有其他液体的193nm浸没式光刻技术、极短紫外光刻技术（EUV）以及无掩膜光刻技术。
在上述纳米尺寸光刻加工涉及到的工艺技术中，可以了解到除了无掩膜光刻技术和纳米压印光刻技术，都可以进行掩膜版光刻。我们不能否认的是，掩膜版成本较高至今还是纳米工艺达到量产的难点之一。
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微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，半导体光刻技术厂商，立足于广东省经济社会发展的实际需要，半导体光刻技术服务，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，山东半导体光刻技术，以及行业应用技术开发。
光刻是通过特定的生产步骤，将晶圆表面薄膜的特定部分去除的工艺，需要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准***、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测的等多道工序。光刻掩膜版类似于相机***后的底片，应用于对集成电路进行投影***。光掩膜版的制作有专门的制版设备，一般都是用激光直写光刻设备做出来的。
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