半导体加工-PECVD真空镀膜技术-湖南PECVD真空镀膜

PECVD真空镀膜MEMS真空镀膜加工平台——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

1.1磁控溅射种类

磁控溅射包括很多种类。各有不同工作原理和应用对象。但有一共同点:利用磁场与电场交互作用，使电子在靶表面附近成螺旋状运行，从而增大电子撞击气产生离子的概率。所产生的离子在电场作用下撞向靶面从而溅射出靶材。

1.1.1技术分类

磁控溅射在技术_上可以分为直流(DC)磁控溅射、中频(MF)磁控溅射、射频(RF)磁控溅射。

2磁控溅射工艺研究

2.1溅射变量

2.1.1电压和功率

在气体可以电离的压强范围内如果改变施加的电压，电路中等离子体的阻抗会随之改变，引起气体中的电流发生变化。改变气体中的电流可以产生更多或更少的离子，这些离子碰撞靶体就可以控制溅射速率。

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(3) 启动机械泵，抽一分钟左右之后，打开复合真空计，当示数约为10E-1量级时，启动分子泵，频率为400HZ (默认)，同时预热离子清洗打开直流或射流电源及流量显示仪。

(4) (选择操作)打开加热控温电源。启动急停控制，报警至于通位置，功能选则为烘烤。

(5)当真空度达到5X 10-4Pa时，关闭复合真空计，开启电离真空计，通气(流量20L/min)，打开气路阀，将流量计I拨至阀控档，稳定后打开离子源，依次调节加速至200V~250V，中和到12A左右，阳极80V;阴极10V，阳极300V。从监控程序中调出工艺设置文件，启动开始清洗。

(6)清洗完成后，按离子源参数调节相反的顺序将各参数归零，湖南PECVD真空镀膜，关闭离子源，将流量计Ⅱ置于关闭档。

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3.4.1准备过程

(1)动手操作前认真学习讲操作规程及有关资料，熟悉镀膜机和有关仪器的结构及功能、操作程序与注意事项，保证安全操作。

(2)清洗基片。用无水酒精清洗基片，使基片镀膜面清洁无脏污后用擦镜纸包好，放在干燥器内备用。

(3) 镀膜室的清理与准备。先向真空腔内充气一段时间，然后升钟罩，PECVD真空镀膜价格，装好基片，清理镀膜室，PECVD真空镀膜多少钱，降下钟罩。

3.4. 2试验主要流程

(1)打开总电源，启动总控电，升降机上升，真空腔打开后，放入需要的基片，确定基片位置(A、B、C、D)确定靶位置(1、 2、3、4，其中4为清洗靶)

(2)基片和靶准备好后，升降机下降至真空腔密封(注意:关闭真空腔时用手扶着顶盖，以控制顶盖与强敌的相对位置，过程中注意安全，小心挤压到手指)

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