用工业V2 O5为原料采用无机溶胶 -凝胶法制备V2 O5溶胶和凝胶 ，并用此胶体在不同衬底上制备出透明的半导体V2 O5薄膜。研究了胶体粘度对涂膜的影响 ，以及薄膜电阻率与温度、烘干处理和厚度的关系。用扫描电子显微镜 (SEM)研究了薄膜的微观形貌 ，用XRD研究了薄膜的成份及其变化。结果表明 :胶体粘度对涂膜有较大影响 ;温度、湿份、薄膜厚度对薄膜电阻率均有较大影响 ;V2 O5薄膜由针状V2 O5颗粒组成 ，生产***，在衬底上呈均匀分布 ，高纯***，且结构比较密集 ，其颗粒径向尺寸为 0 .5～ 1.0 μm ，长度方向为 3 0～ 5 0 μm。烘干处理后颗粒轮廓略有模糊、结构稀疏且尺寸有所长大 ，同时新生成了一些钒化合物。
基于***(V_2O_5)和的机制及降解邻苯二甲
发展了基于***(V_2O_5)和(H_2O_2)的新型类Fenton体系，探索了此体系产生羟基(·OH)的机制及降解邻苯二甲酸二乙酯(DEP)的效率;并考察了V_2O_5投加量、H_2O_2浓度，以及草酸对DEP降解的影响。结果表明，当V_2O_5投加量为0.1 g·L-1，H_2O_2浓度为2.0 mmol·L-1，偏钒酸铵***，反应24 h后，对DEP(25 mg·L-1)的降解率可达61.1%，增加或降低V_2O_5投加量和H_2O_2浓度均不利于DEP的降解。利用电子顺磁共振技术(Electron Paramagnetic Resonance，EPR)耦合5，5-二-1-吡咯啉氮氧化物(DMPO)为捕获剂对反应体系中的主导自由基进行鉴定，发现·OH是体系降解DEP的主要活性物种，利用苯甲酸作为探针分子实现了·OH的间接定量，并初步推测了V_2O_5活化H_2O_2的过程。
采用盐酸消解***样品及其中所含可溶性杂质，再以无水碳酸钾与硼酸高温熔融不可溶性杂质，然后以盐酸溶解熔块，南京***，合并溶液后以用电感耦合等离子体原子发射光谱法测定杂质元素铌、锆、钛、钨、硅、铝、钼、钴、铬、镍、铜、铅、镉、、磷、铁、锰、钙和镁的含量。试验了基体元素和共存元素对测定的干扰，优化各元素的分析谱线，运用同步背景校正消除基体影响。19种元素的检出限在10～225μg.L-1之间，背景等效浓度在5～150μg.L-1之间。方法用于分析***样品，测定结果与其它化学分析方法测定值一致;分析***标准样品(GSBH 42015-96)的测定值与标准值相一致。
生产***-人本合金(在线咨询)-南京***由芜湖人本合金有限责任公司提供。芜湖人本合金有限责任公司是从事“***,偏钒酸铵,偏钒酸钠,偏***,钼酸铵等系列化合物”的企业，公司秉承“诚信经营，用心服务”的理念，为您提供更好的产品和服务。欢迎来电咨询！联系人：马经理。
